新型快速开关的IGBT和二极管的扩展安全工作区和加固耐用性

在线阅读 下载PDF 导出详情
摘要 本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。
机构地区 不详
出处 《电力电子》 2004年6期
出版日期 2004年06月16日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
  • 相关文献