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电流型GaN辐射探测器研制

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摘要采用大面积半绝缘型GaN（semi—insultingGaN，SI—GaN）晶体制备了电流型GaN辐射探测器，研究了探测器伏安（I—V）特性、7射线响应特性、灵敏度、电荷收集效率、脉冲响应等物理性能。结果表明，晶体表面与金属形成了良好的欧姆接触，探测器在600V偏压下暗电流低于400pA，电荷收集效率高于40％，探测器脉冲响应时间在ns量级。

DOI zdl5x53qjl/1301340

作者刘洋;苏春磊;欧阳晓平;宋晓靓;马燕;余小任

机构地区不详

出处《现代应用物理》 2013年4期

关键词半绝缘型GaN 半导体探测器电荷收集效率

分类 [理学][物理]

出版日期 2013年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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