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PEM/OBIRCH用于集成电路漏电流失效定位

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摘要漏电流增大是集成电路的主要失效表现,通过光发射显微镜（PEM）和光束感生电阻变化（OBIRCH）技术互补地结合使用,对集成电路中常见的PN结漏电、介质层绝缘性降低、间接漏电流失效和芯片的背面分析案例进行研究,分析由过电应力、金属化桥连、静电放电损伤导致漏电的定位特性。得出以下结论：根据光发射显微镜得到的缺陷形貌和位置可以断定是否为原始失效或间接失效,结合电路分析进而可以解释发光的原因;OBIRCH对原始缺陷的定位更为准确,多层结构的背面OBIRCH分析更有优势。

DOI pj0983ewjy/1597303

作者陈选龙;陈航;刘丽媛;蔡金宝

机构地区不详

出处《失效分析与预防》 2015年6期

关键词光致电阻变化光发射显微镜集成电路失效分析失效定位漏电

分类 [金属学及工艺][金属材料]

出版日期 2015年06月16日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）