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新型稀磁半导体母体YCuSO第一性原理计算

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摘要利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,计算了新型稀磁半导体母体YCuSO的能带结构和态密度以及介电函数、反射函数和吸收函数等光学性质.计算结果表明,YCuSO属于直接带隙半导体,禁带宽度约为1.22eV.其费米面主要由Cu3d和S3p层电子构成.YCuSO半导体晶体在80~90nm处存在明显的光损失,在80~350nm区间光反射较大,光吸收主要发生在50~680nm区间,表明YCuSO在红外与远紫外波段具有潜在的应用价值.这些结果为实验室合成基于YCuSO母体、电荷自旋注入机制分离的新型稀磁半导体,进而研究其性质提供了依据.

DOI zdlgzm3p4l/1781140

作者冯山;陈浩泽;李林先;张莉

机构地区不详

出处《中国计量大学学报》 2017年3期

关键词母体YCuSO 第一性原理计算电子结构光学性质新型稀磁半导体

分类 [机械工程][测试计量技术及仪器]

出版日期 2017年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

中国计量大学学报

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