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Characteristics of surface and interface for ITO/PTCDA/p-Si thin film device

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摘要接口特征在薄电影设备的性能上拥有很重要的影响。ITO/PTCDA/p-Si薄电影设备与真空蒸发和噼啪声免职方法被建立。ITO/PTCDA/p-Si的表面和接口电子国家被X光检查光电子光谱学(XPS)和氩离子横梁调查蚀刻技术。结果在ITO/PTCDA/p-Si，不是仅仅ITO/PTCDA-Si的接口显示那而且PDCDA-Si能生产散开。而且，每个原子的XPS系列显得化学移动，和Ols和Ols的化学移动是更显著的。CLC数字O484文件代码A工程被中国的国家自然科学基础支持(不同意60076023)

DOI ojnl5z05dr/406037

作者 ZHENG Dai-shun;ZHANG Xu;QIAN Ke-yuan

机构地区不详

出处《光电子快报：英文版》 2006年1期

关键词薄膜装置表面性质接口界面 ITO/PTCDA/p-Si 光电子

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2006年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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