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Microstructure studies of the grinding damage in monocrystalline silicon wafers

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摘要在硅晶片的表面下的损坏的深度和自然将限制IC部件的表演。晶片由磨车轮的#325，#600，和#2000扎根了的硅的损坏微观结构被分析。结果证明许多微裂缝，破裂，和脱臼插座出现在表面并且由磨擦的#325的晶片地面表面下车轮。没有明显的微观结构变化存在。有大约100nm，微裂缝，高密度脱臼，和多晶的硅的厚度的非结晶的层被观察在由磨擦的#600的晶片地面表面下车轮。为由#2000grinding车轮，大约30nm厚度的非结晶的层，多晶的硅层，一些脱臼，和一块橡皮的晶片地面变丑层存在。与在砂砾尺寸的减少，一般来说，材料移动模式逐渐地从微破裂的模式改变到可锻的模式。

DOI pd5kw7ygd7/496095

作者 ZHANG Yinxia KANG Renke GUO Dongming JIN Zhuji

机构地区不详

出处《稀有金属：英文版》 2007年1期

关键词单晶硅晶片砂轮研磨表面损伤显微结构

分类 [金属学及工艺][金属材料]

出版日期 2007年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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