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Numerical analysis and simulation of Czochralski growth processes for large diameter silicon crystals

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摘要数字分析和模拟是一个有效工具开发先进生长技术并且为300公里并且在以外的硅晶体控制缺点类型，尺寸和密度。在现在的纸，在Czochralski(CZ)水晶生长配置的melt流动的数字分析，三维(3D)建模，模拟在磁场，当模特儿的逆和时间依赖者模拟下面融化流动被考察。最后，有试验性的大小的数字分析的比较被讨论。

DOI ojzl3qqnd5/564970

作者 TU Hailing XIAO Qinghua GAO Yu ZHOU Qigang ZHANG Guohu CHANG Qing

机构地区不详

出处《稀有金属：英文版》 2007年6期

关键词硅数学计算晶体形成数学模拟

分类 [金属学及工艺][金属材料]

出版日期 2007年06月16日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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