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三维记忆阵列提高了数据存贮容量

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摘要日本东芝公司的研究人员开发出一种三维记忆胞阵列。这种结构提高了单胞密度和数据存贮容量。在这种结构中，一些堆集的柱状记忆元件垂直穿越多层电极材料并利用共享外围电路。这一创新设计对未来高密度闪存记忆技术可能是一种可取技术。

DOI rj8v0my940/576058

作者杨英惠（摘译）

机构地区不详

出处《现代材料动态》 2008年2期

关键词存贮容量记忆阵列三维日本东芝公司研究人员

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2008年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）