Low voltage n-type OFET based on double insulators

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摘要 最高的接触n类型有低操作电压的器官的地效果晶体管被采用Ta2O5/PMMA作为双绝缘体和PTCDI-C12作为半导体活跃的层。Ta2O5层被使用简单节俭的阳极化技术准备,PMMA层被使用纺纱涂层方法准备。与有单个Ta2O5绝缘体,有两倍绝缘体的设备显示出显然更好的电的性能。它有0.063厘米2/Vs,的地效果电子活动性1.7×1的开/关比率04和2.3V的阀值电压。
机构地区 不详
出版日期 2008年05月15日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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