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ESD对微电子器件造成潜在性失效的研究综述

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摘要静电放电(ESD)潜在性失效问题是当前微电子工业面临的可靠性问题之一,并且越来越引起人们的重视.国内外学者在微电子器件ESD潜在性失效的检测及探讨失效机理方面的研究取得了较大的进展.研究表明:MOS电路等微电子器件,在ESD作用下确实存在潜在性失效问题.因此,开展ESD潜在性失效研究具有重要意义.

DOI o3j75rmd1v/7729

作者祁树锋;杨洁;刘红兵;巨楷如;刘尚合

机构地区不详

出处《军械工程学院学报》 2006年5期

关键词 ESD 微电子器件潜在性失效

分类 [兵器科学与技术][武器系统与运用工程]

出版日期 2006年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）