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氮掺杂ZnO纳米阵列的制备和电学特性
氮掺杂ZnO纳米阵列的制备和电学特性
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摘要
采用化学气相沉积(CVD)法,以高纯ZnO和活性C混合粉末为原料,以NH3为掺杂气体,在Si(111)衬底上制备了N掺杂的ZnO纳米线阵列,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、拉曼光谱对样品进行分析,结果表明,氮气的掺杂过程对生长N掺杂的ZnO纳米线阵列有一定的影响。除此之外,N掺杂的ZnO纳微米p-n结被合成,表现出很明显的整流特性。
DOI
0dpq5v3x42/928293
作者
于丽媛;朱明明;李梦珂
机构地区
不详
出处
《纳米科技》
2010年5期
关键词
ZNO
氮掺杂
P-N结
化学气相沉积
分类
[一般工业技术][材料科学与工程]
出版日期
2010年05月15日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
纳米科技
2010年5期
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