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金刚石微波器件可能超过GaN、SiC器件

作者：陈裕权
学科：电子电信 > 物理电子学
创建时间：2005-04-14
出处：《半导体信息》 2005年第4期

简介：<正>英国阿斯科特的ElementSix公司与德国乌尔姆大学合作,采用化学汽相淀积制备的合成单晶金刚石制造出前期性微波器件(MESFET)。金刚石所固有的理论性能并结合最新推出的这种器件意味着,金刚石可占
标签： GAN SIC器件微波器件德国乌尔姆大学化学汽相淀积 MESFET

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日本GaN基器件研究进展

作者：陈裕权
学科：电子电信 > 物理电子学
创建时间：2004-02-12
出处：《半导体信息》 2004年第2期

简介：<正>在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaNHEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们
标签： GAN 器件研究电气公司德岛大学应用物理学快速热退火

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Cree新厂投产SiC和GaN先进电子器件

作者：陈裕权
学科：电子电信 > 物理电子学
创建时间：2007-01-11
出处：《半导体信息》 2007年第1期

简介：
标签： CREE GAN SIC 市场研究公司生产厂房卡罗莱纳

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