简介：本文首先介绍了掺铒光纤超荧光光源的用途和基本原理,然后结合作者的实验工作,介绍了C波段、L波段和C+L波段掺铒超荧光光纤光源的结构,以及实验所得到的结果.在C+L波段掺铒光纤光源中,通过加光纤环镜将后向ASE谱反射回掺铒光纤,进行二次泵浦,提高泵浦效率,并且在输出端加增益平坦滤波器,得到3dB带宽为81.2nm的平坦光源.

简介：采用双级级联单程放大实现高增益、低噪声的C波段掺铒光纤放大器(EDFA);采用双级级联双程放大实现高增益、超平坦的L波段EDFA.在此基础上,采用并联结构实现了30dB以上的高增益、3dB带宽为57nm的低噪声宽带EDFA.

简介：一年一度的深圳NEPCON展览会已顺利闭幕了，这是国内外SMT产供厂商的大聚会，也是当今世界先进电子组装设备和材料与先进技术的大展示、大检阅。NEPCON展在深圳已经是第十届了，但此次NEPCON展是目前在华南地区举行的各种电子设备展中，SMT主题最为突出的特色展览会。NEPCON展已成为全世界SMT业界中最为注目、最具吸引力的市场中心。

简介：RC821型双台车电阻炉尽管生产效率较高,然而热能未充分利用。本文介绍了对其附件的改造及利用,提高了装炉量,降低单耗,方法简单易行,效果非常显著。

简介：一个可切换的双波长掺铒光纤激光器（波长可调谐掺铒光纤激光器）的证明。环形腔由光纤布拉格光栅（光纤光栅）和一个球形的形状结构的纤维过滤器，分别由2个分支。通过调整可变光衰减器（美国之音），激光可以在单一波长模式和双波长模式之间切换。球型结构对温度有很好的敏感性。当温度从30°C至190C°°，由球形结构的分支从1551.6～1561.8nm的变化产生的掺铒光纤激光器的中心波长，即波长间隔可调。

简介：<正>浙江大学硅材料国家重点实验室传来消息,该实验室不久前成功"拉"出了一条具有我国自主知识产权的12英寸掺氮硅单晶。硅单晶是计算机、通信和网络等信息微电子产业的基础材料,随着信息微电子产业的

简介：在阐述主动锁模掺铒光纤环激光器的锁模原理与锁模脉冲生成机制的基础上,进一步论述了阻碍主动锁模掺铒光纤环激光器实用化的两种稳定性问题,并提出了一些相应的解决方案.

简介：

简介：摘要小学阶段语文的学习主要分为阅读和写作，随着新课程标准的实施，小学语文课本的阅读量逐渐被提上议程。要提高学生的语文能力，阅读是必不可少的，针对当前小学阶段语文教学中阅读存在的问题，本文展开相关探讨，旨在找出提升小学生阅读量进而提高学生语文素质的方法。

简介：Er3＋/Ce3＋共掺碲酸盐玻璃的组成teo2-geo2-li2o-nb2o5使用常规的熔融淬火技术在Er3＋的潜在应用掺铒光纤放大器（EDFA）的制备。测定了玻璃样品的吸收光谱、上转换光谱和1.53μm波段荧光光谱。结果表明，1.53μm波段的荧光发射强度的Er3＋掺杂的碲酸盐玻璃光纤与Ce3＋引入适量明显改善，这是由于能量转移（ET）Er3＋Ce3＋。同时，1.53μm波段的光信号放大是基于速率方程和功率传输方程模拟，并在约2.4dB信号增益的增量在1532nmEr3＋/Ce3＋共掺碲酸盐玻璃纤维被发现。最大信号增益达到29.3dB的一个50厘米长的光纤在980nm泵浦功率为100MW，结果表明所制备的Er3＋/Ce3＋共掺碲酸盐玻璃是一个很好的增益介质的应用1.53μM宽带高增益掺铒光纤放大器。

简介：<正>问题的提出笔者在制造一台高压冲击电流发生器(波形为10/310μs,10/1000μs)时,脉冲的重复周期为1s、2s、3s、4s、5s、6s……20s可调,脉冲的极性要求是正负可变和输出正负极性相间的脉冲。需要一个开关,电路如图1所示,对这个开关的要求是断路时承受全部高压,通路时电流变化率要快,流通电流约100App。

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简介：随着互联网黑客技术的飞速发展，网络世界的安全性不断受到挑战。对于黑客自身来说，要闯入大部分人的电脑实在是太容易了。如果你要上网，就免不了遇到黑客。所以必须知己知彼，才能在网上保证安全。那么黑客们有哪些常用攻击手段昵?

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简介：<正>华泰证券近日发布研究报告称,2013年我国IC卡需求将呈高速增长态势,预计2013年金融IC卡市场规模将达到20亿元,2015年将增加至4.2亿元,另SWP-SIM卡2013年市场规模约为1亿元,而到2015年可达7.13亿元,而且需求趋向于高附加值IC卡。首先,报告认为随着3GSIM卡、社保卡、金融IC卡等市场需求的复苏,今年我国IC卡需求增长速度加快。报告进一步预测,2013年我国IC卡市场有望同比增长30%,增速同比翻番。同时,报告表示,最主要的需求增长来自金融IC卡放量,金融IC占银行发卡量的比例将提升到40%左右,预计2013年其市场规模将达到20亿元,为

简介：超薄（或说零厚度）微带线是微波电路设计的重要组成部分。基于矩量法，推导了零厚度微带线电磁参量的公式，计算了微带线的特性阻抗和相应的等效介电常数，探讨了微带线的准静电边缘效应和两条微带线间的近端串扰问题。计算结果与已有结果相比较，一致性良好。

简介：<正>市场研究机构Gartner预估,2012年印度市场的半导体组件消耗量将会是全球成长最快的,金额达到92亿美元,较2011年成长20%。"印度半导体组件消耗量的成长动力,来自当地人口的增加、消费者所得提升、经济成长以及有利的官方政策;"Gartner研究总监