简介：无铅技术带来的改变和影响，在材料上，尤其是焊料上的变化最大。而在工艺方面，影响最大的是焊接工艺。这主要来自焊料合金的特性以及相应助焊剂的不同所造成的。

简介：表面贴装技术(SMT)虽然不是个新技术，但其牵涉面广、复杂的故障因果关系、众多的供应选择、发展的快速等特性(无铅技术就来了!)，加上有系统、完整以及高素质的培训课程的缺乏，物料设备上供求的矛盾关系，以及插件技术(THT)所遗留的习惯和经验的不良影响等等客观条件，造成业界在这门技术上还存在许多的改善空间，甚至许多做得不好的本身也未意识到。常见的问题例如缺乏技术应用和发展计划蓝图、

简介：静电在电子制造业中造成严重的破坏已经是个众所周知的事实，然而准确的掌握和最适当的控制住静电，却不是如许多人想象中的容易。很多工厂的防静电措施都限于防静电腕带、接地导电桌垫、防静电工衣、防静电包装材料以及离子风机等的采购使用，而缺乏一套科学性的管理来支持。随着业界对防静电意识的增加以及普遍的使用各种防静电材料，以往的静电破坏模式已经大体上得到很好的处理。

简介：<正>《中华人民共和国节约能源法》(下简称《节能法》)第六条规定:“国家鼓励、支持节能科学技术的研究和推广,加强节能宣传和教育,普及节能科学知识,增强全民的节能意识”。第二十一条规定:“用能单位应当开展节能教育,组织有关人员参加节能培训。未经节能教育、培训的人员,不得在耗能设备操作岗

简介：2002年中国IT服务市场增长率达到24.7％，远高于硬件产品的增长速度。随之，IT培训市场的火热也就不言而喻了。操作系统方面的微软、Linux及Unix；网络设备服务方面有3com、Cisco、华为等的技术认证，IT服务市场纷繁的分类也加重了IT培训种类的芜杂。

简介：

简介：2004年，对于SMT业界来说，是一个不平凡的一年，因为深圳拓普达资讯公司为他们吹来了新的技术之风：我们邀请了国际知名讲师JohnLau博士、李宁成博士、薛竞成博士、李明雨博士等的加盟，为广大SMT业内人士开展处于国际先进水平的前沿技术讲座。

简介：

简介：为了帮助广大的用户更全面而准确的掌握和使用《IPC—A-610D》标准，本公司拟于2006年1—2月在深圳大力举办《IPC—A-610D标准》证书认证培训班。

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简介：<正>00624LTCC、低温燒成基板埋/A.H.Feingold.M.Heinz(Electro-ScienceLaboratories)//电子材料[日].—2003,5月号别册.—96本文介绍了埋入低温共烧基板(LTCC)内的电感与电容的研究。探讨了含铅和铅化合物对电容器以及LTCC等电子陶瓷产品在性能上所起的重要作用。(孙再吉摘译)

简介：激光清洗技术是近10年来飞速发展的新型清洗技术,它以自身的许多优点在众多领域中逐步取代传统清洗工艺.本文介绍了激光清洗的原理和激光清洗的一些典型应用,展示了激光清洗这一"绿色"清洗技术广阔的发展前景.

简介：电子垃圾已成为世界上增长最快的垃圾.本文从社会和市场两方面分析了我国电子工业所面临的挑战,进而就循环技术特征、要素关系及实现形式进行了分析,提出了加快绿色制度建设则是循环技术开发和实施的必要保证.

简介：1、HSDPA简介对高速移动分组数据业务的支持能力是3G系统最重要的特点之一。WCDMAB99版本可以提供384kbit／s的数据速率，这个速率对于大部分现有的分组业务而言基本够用。然而，对于许多对流量和迟延要求较高的数据业务如视频、流媒体和下载等业务，需要系统提供更高的传输速率和更短的时延。为了更好地发展数据业务，3GPP从这两方面对空中接口作了改进，在R5版本中引入高速下行分组接入（HSDPA）技术。

简介：<正>00576ACompactTransceiverforWideBandwidthandHighPowerK-,Ka-,andV-BandApplications/D.Yamauchi,R.Quon.Y-HChungetal(NorthropGrummanSpaceTechnology)//2003IEEEMTT-sDigest.—2015用当今先进的InPMMICs和先进的封装技术演示了一种宽带宽(13%～54%)高功率(>500mW)K、Ka及V波段小型收发机。该组件有30多块MMIC和200多个元器

简介：

简介：高密度封装技术的飞速发展也给测试技术提出了新挑战。为了应对挑战，新的测试技术不断涌现。本文主要介绍了几种新型测试技术的特点，并对未来测试技术的发展趋势及方向进行了初步分析。

简介：一、NGN概念与认识NGN是NextGenerationNetwork的缩写，字面意思是下一代网络。当前所谓的下一代网络是一个很松散的概念，不同的领域对下一代网络有不同的看法。一般来说，所谓下一代网络应当是基于“这一代”网络而言，在“这一代”网络基础上有突破性或者革命性进步才能称为下一代网络。

简介：<正>00593Fabricationof0.1μm-GateInPHEMTsUsingi-LineLithography/K.Sawada,K.Makiyama,T.Takahashietal(FujitsuLaboratoriesLtd,Japan)//2003IndiumPhos-