简介：摘要结构有限元建模是动力分析的基础，本章在自定义梁截面并计算主杆截面特性参数的基础上，按装配式节点刚性连接和弹性连接，利用ANSYS软件，分别建立机库结构单榀索拱架刚性模型和半刚性模型。

简介：摘要模态分析是计算结构阻尼的重要过程，也是风振响应分析的基础，确定结构的基本振动特性具有重要的意义。本文基于实际工程，通过有限元建模和模态分析，对比不同节点刚度对结构基本振动特性的影响。结果表明刚性模型和半刚性模型差别较大，风振分析中应以半刚性模型进行。

简介：众所周知,人们所听到的声音是频率20-20000Hz的声波信号,高于20000Hz的声波称之为超声波,声波的传递依照正弦曲线纵向传播,即一层强一层弱,依次传递,当弱的声波信号作用于液体中时,会对液体产生一定的负压,使液体内形成许许多多微小的气泡,而当强的声波信号作用于液体时,则会对液体产生一定的正压,因而,液体中形成的微小气泡被压碎。经研究证

简介：据统计，2003年上半年，马来西亚制造业销售总额共3221亿人民币，比去年同期下降了7％；截止到2003年6月，在制造业受聘的员工有974932人，比去年同期下降了3．8％，2003年前三个月的失业率达3．7％，数百万劳工面临重新就业。

简介：摘要近年来，由于我国对外出口与拉动内需之间的有效转变，产业集聚效应越来越明显，进而对于研究产业的集聚效应的影响因素也越来越得到经济学家的重视，其能够很好的影响到我国经济发展的质量和速度。因此，本文采用文献综述的基本方法对于产业集聚的影响因素进行分类和总结，然后结合企业实例进一步明确影响因素的力度和方向。总之，要确定影响因素与产业集聚之间的内在影响性。因此，本文所研究的基本因素为企业因素、产业因素以及外部环境因素，这些因素基本上包含了企业交易过程中的整个流程，对于研究产业集聚效应影响来说，是基本的研究逻辑。

简介：概述了美军电磁环境效应研究的历史及其概念的演化过程。指出了现有文献资料在电磁环境效应概念定义中存在的问题,提出了电磁环境效应的一般概念,并对如何在狭义和广义层面上理解电磁环境效应作出了解释。

简介：CMOS制程是现今集成电路产品所采用的主流制程。闩锁效应（Latch—up）是指CMOS器件中寄生硅控整流器（SCR）被触发导通后，所引发的正反馈过电流现象。过电流的持续增加将使集成电路产品烧毁.闩锁效应已成为cMOS集成电路在实际应用中主要失效的原因之一。在国际上，EI～JEDEC协会在1997年也制订出了半静态的闩锁效应测量标准，但只作为草案，并没有正式作为标准公布，我们国家在这方面还没有一个统一的测量标准，大家都是在JEDEC标；住的指导下进行测量。文章针对目前国际上通行的闩锁效应测试方法作一个简要的介绍和研究。

简介：随着航空航天事业的发展,器件的抗辐照性能变得越来越重要,因此对抗辐照指标的应用测试已显得至关重要。基于FPGA和NI工控机,设计四通道数据采集测试系统,用于监测FIFOSRAM单粒子实验中发生的单粒子翻转（SEU）和单粒子闩锁（SEL）效应。采样率可达50MHz,对器件的读写频率达10MByte/s。该系统可实现对FIFOSRAM单粒子试验过程的远程测控。在监测单粒子翻转的过程中,既监测存储器的SEU效应,又监测了读写指针的SEU效应,并经过实际的单粒子效应测试验证了本系统的可靠性。

简介：闩锁是集成电路结构所固有的寄生效应，这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发，会在电源与地之间形成大电流通路，导致整个器件失效。文章较为详细地阐述了一种Bipolar结构中常见的闩锁效应，并和常见CMOS结构中的闩锁效应做了对比。分析了该闩锁效应的产生机理，提取了用于分析闩锁效应的等效模型，给出了产生闩锁效应的必要条件与闩锁的触发方式。通过对这些条件的分析表明，只要让Bipolar结构工作在安全区，此类闩锁效应是可以避免的。这可以通过版图设计和工艺技术来实现。文章最后给出了防止闩锁效应的关键设计技术。

简介：通过二维TCAD仿真，对IGBT的单粒子入射作用过程做了原理性的分析，据此在理论上将单粒子对器件的作用进行了分类。针对阻断态、贯通烧毁的情况，给出了IGBT加固的一般思路，提出并仿真验证了多种具体的加固方法，与文献测试结果相符。

简介：

简介：摘要随着经济的不断发展，环境问题也越来越突出。发展低碳经济，保护自然环境，成为当下的一项重要任务。加强资源保护，促进产业升级，推动金融经济的可持续发展。在经济全球化的背景下，世界经济快速发展，与资源环境的矛盾也日益凸现。本篇文章就低碳经济与金融创新进行了分析，探讨了如何在保护自然环境资源的条件下发展低碳经济推动金融创新，并就相关问题提出了建议。

简介：一直以来，我国手机产业各个配套环节都较为分散，各个环节相互之间又比较单一，配套产业难以形成合力。正是在这种情况下，发挥手机企业的集群效益则显得更为重要。

简介：<正>继LED背光TV后,LED照明将成为带动LED产业高度成长的应用产品。根据DIGITIMESResearch最新统计,高亮度LED市场规模将由2010年82.5亿美元,成长至2011年的126亿美元,年成长率将高达53%;其中,LED照明使用颗数由2010年48亿颗,将增至2011年124亿颗,主因为2011年LED灯泡取代传统白炽灯效应开始显现。

简介：通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。

简介：有机场效应晶体管（OFETs，OrganicFieldeffecttansistors）在平板显示、智能卡、射频标识牌、塑料电子学等方面存在广泛的应用，引起人们广泛的研究兴趣。本文推导了底部接触电极结构OFETs的解析模型，并且用数值方法研究了OFETs器件参量对OFETs性能的影响，并指出相应的优化途径。

简介：与其他半导体器件相比,CMOS集成电路具有功耗小、噪声容限大等优点,对于对重量、体积、能源消耗都有严格要求的卫星和宇宙飞船来说,CMOS集成电路是优先选择的器件种类。随着半导体器件的等比例缩小,辐射效应对器件的影响也在跟着变化。这些影响包括：栅氧化层厚度、栅长的减小、横向非均匀损伤、栅感应漏电流等方面。对于微电子器件的抗辐射加固,文章就微电子器件的应用场合、辐射环境的辐射因素和强度等,从微电子器件的制作材料、电路设计、器件结构、工艺等多方面进行加固考虑,针对各种应用环境提出加固方案。

简介：摘要：新能源汽车产业在全球经济转型中扮演着重要角色，对经济增长具有显著的推动作用。本文深入分析了新能源汽车产业与经济增长的关系，探讨了其在促进经济结构优化、技术创新和创造就业机会方面的积极影响。指出了产业发展中存在的挑战，如技术瓶颈、市场接受度、基础设施建设不足以及政策环境的不确定性。文章提出了一系列促进产业健康发展的策略，包括技术创新、政策支持、基础设施完善、市场推广和国际合作等。通过案例分析，展示了不同国家和企业在新能源汽车产业中的成功经验。展望未来，新能源汽车产业有望在技术创新、智能化和网联化等方面取得更大突破，为经济的可持续发展贡献重要力量。

简介：摘要小学生的语言系统仍处于发展阶段，这是学习语言的黄金时代。只要老师能给小学生正确的指导，他们就能有效地提高英语水平。为了实现这一教学目标，小学英语教师开始在阅读教学中运用情境教学。本文结合笔者多年的教学经验，以外研社小学英语教材为例，探讨情境教学模式在小学英语阅读教学中的发展。

简介：从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先，提取0krad（Si）时器件的模型参数，然后针对总剂量敏感参数，对100krad（Si）总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化，并对得到的模型参数进行验证。结果表明，该方法所提取的模型参数准确有效，解决了国内目前在抗辐照SOI工艺中因采用标准SOI工艺SPICE模型（如BSIMSOI等）导致不能反映辐照效应对器件特性的影响且无法给出经过不同辐照剂量之后的器件特性的缺点，可用于评估辐射对SOI电路的影响。