简介：文章对等离子清洗技术做了全面介绍，不仅介绍了有关等离子的基本概念、低温等离子体制备技术及其相关装置，而且着重介绍了它在精密清洗中的应用及其注意事项，指出等离子清洗技术在淘汰ODS清洗剂过程中能够发挥重要作用。

简介：文章对等离子清洗技术做了全面介绍,不仅介绍了有关等离子的基本概念、低温等离子体制备技术及其相关装置,而且着重介绍了它在精密清洗中的应用及其注意事项,指出等离子清洗技术在淘汰ODS清洗剂过程中能够发挥重要作用

简介：文章基于Mintab软件,运用Precision5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响。获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件。运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求。

简介：采用DOE（实验设计）方法,通过比较铝线拉力的数值、标准方差及PpK,得到最适合铝线键合工艺的等离子清洗功率、时间和气流速度参数的组合。同时分析了引线框架在料盒中的摆放位置对等离子清洗效果的影响,引线框架置于等离子气体浓度高的位置清洗效果较好,引线拉力值能获得更低的方差和更优的过程控制能力。

简介：微电子封装过程中产生的沾污严重影响了电子元器件的可靠性和使用寿命。文中研究了用微波等离子清洗封装过程中产生的沾污。研究结果表明,微波等离子清洗能有效增强基板的浸润性,降低芯片和基板共晶焊界面的孔隙率,同时也能清除元件表面的氧化物薄膜和有机物沾污,经过等离子清洗,其键合焊接强度和合金熔封密封性都得到提高。

简介：HKC应用MagicGreen技术的两款负离子显示器型号为775CN(17寸纯平)和DF998A(19寸纯平)。率先将“氧吧“功能应用到CRT显示器上，全面倡导绿色环保的健康新概念。MagicGreen集成了负离子、远红外和光触媒三种技术。针对性地解决了长期电脑使用者所面对的健康困扰。

简介：等离子体工艺是干法清洗应用中的重要部分，随着微电子技术的发展，等离子体清洗的优势越来越明显。文章介绍了等离子体清洗的特点和应用，讨论了它的清洗原理和优化设计方法。最后分析了等离子体清洗工艺的关键技术及解决方法。

简介：在研发一套基于0．18μm工艺的全新半导体芯片时，由于芯片工艺的要求我们将标准0．18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN＋SION改为SIN，但却引进了PID（等离子体损伤）的问题。当芯片的关键尺寸减小到0．18μm时，栅氧化层变得更薄，对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变，于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤，因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化，使得PID处于可控范围内，保证了量产的芯片质量。

简介：四川长虹公告称，该公司旗下的等离子（PDP）显示屏及模组项目一期工程建设已全部完成，2009年1月进入批量试产，计划3月份正式量产。受去年四川汶川地震等综合因素影响，四川长虹推迟了PDP屏项目的量产时间。公告还表示，四川长虹去年发行分离交易的可转换公司债券募资之后，两次向负责运营PDP屏项目的四川虹欧显示器件有限公司（下“四川虹欧”）增资共4亿元，目前四川虹欧的注册资本约为3．5亿美元、实收资本为2．75亿美元，四川长虹控股50．94％。现在四川虹欧PDP项目设备安装已全部结束，已小批量试产多品种的高清屏模组和全高清屏模组。

简介：<正>日本产业技术综合研究所日前发布消息说,他们通过自行开发的"大容量高纯度臭氧发生装置"生产出浓度高于90%的臭氧,并成功使用这种超高浓度的气体在400摄氏度较低温环境下制造出高品质的硅氧化膜。

简介：文中简要介绍了对手术腔镜进行清洗、消毒灭菌操作的重要性,具体操作方法,以及清洗过程中应注意的事项.

简介：低温共烧陶瓷LTCC基板是实现小型化、高可靠微波多芯片组件MMCM的一种理想的封装技术，文章对LTCC技术的特点及应用做出了评述，主要介绍国内外LTCC的现状、发展趋势与问题，同时突出强调了LTCC的飞速发展及对微波器件的重要性。

简介：文章讨论了低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo—FiredCeramic——LTCC）埋置电感的几何结构，并进行了仿真。分析了结构变化对电感各参数的影响，并通过LTCC工艺流程实现样品的制作。经Agilent4285A及4291B等仪器测试，仿真结果与实测结果完全一致，为等效模型的提取和元件库的建立奠定了基础。

简介：摘要：首先阐述了拉断阀的在流体参数介质处理中的实际应用状况,还分析了有关规范中对拉断阀门的拉裂力矩的确定因素与数据来源,并指出了在LNG充装中,GB50156规范的要求也是有待商榷的,还对充装制动软管用的低压拉裂阀门中适用的拉裂力矩进行了分析测算。

简介：本文着重介绍用于对清洗后电路板上的残余离子污染物的测试手段,国外关于此领域的相关标准以及这些相关标准和手段的发展过程.比较了不同仪器的一些主要参数和应用现状,部分用户需求动向和如何满足的方法.

简介：钠是地球上储量较丰富的元素之一,与锂的化学性能类似,因此也可能适用于锂离子电池体系。钠离子电池相比锂离子电池有诸多优势,如成本低,安全性好,随着研究的深入,钠离子电池将越来越具有成本效益,并有望在未来取代锂离子电池而被广泛应用。介绍了钠离子电池正极材料、负极材料的最新研究进展,分析了该电池未来的研究发展方向。

简介：1超微细MOS中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

简介：文章对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析和总结，重点分析了温度补偿原理。在对传统温度补偿技术改进的基础上，采用低失调电压运算放大器，融合了熔丝烧写调整电压技术，提出了一个温漂低于15×10^-6℃^-1的改进型带隙基准源电路j整个电路采用CSMC0．5μm工艺设计，采用Hspice进行仿真。为补偿工艺偏差，输出电压及输出电压的温漂均可通过铝熔丝烧写来调整。

简介：　　1前言　　对于MOS晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm工艺技术的64MDRAM中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM中则要减薄到8nm.对于高性能CMOS逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM还要早一个时代,对于0.25μm工艺来说,则要求使用6nm这样极薄的氧化膜.　　……

简介：本文要解答的问题是:1,二氧化碳雪清洗剂是怎样形成的?它与其它二氧化碳清洗剂有何不同?2,二氧化碳雪的清洗机理是怎样的?3,二氧化碳雪清洗剂有那些实际应用?4,使用二氧化碳雪清洗剂时应该注意那些问题?