简介：近日，HUBER＋SUHNER公司成功的研制出了新产品一射频电子开关，该产品体积小、性能可靠、容易操作，可将维修和服务的费用减少到最低，并可使得产品生命周期中所需的成本大幅下降，从而极大的缩减了总体成本。此项研究的成功为HUBER＋SUHNER公司与未来需求客户的合作打下了坚实的基础。因为只有通过成本优化方面持久的努力，移动网络公司才能使维持或者降低电话通话费用的想法成为可能。

简介：电力电子工程师现在可以使用在线仿真工具来为特定的应用系统迅速而可靠地选择最适宜的电力电子器件。这种电力半导体选型工具的最新版本-SEMISEL可以在www．semikron．com网站上找到。它可提供四种仿真方案，可针对特定的应用系统选择出最合适的赛米控产品。

简介：简述了超结MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性；介绍了超结MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进；最后简要介绍了基于超结理论的一些新型功率器件。

简介：吉时利仪器公司日前针对其射频矢量信号发生器推出SignalMeister^TM波形生成软件。SignalMeister^TM是一款免费的、基于PC的软件工具，能够生成任意波形（ARB）文件，用户可以下载已经生成的波形文件到吉时利2910型矢量信号发生器中。SignalMeister^TM是具有公共用户接口的可扩展软件平台．可集成多个信号生成库．以便为多种信号标准提供灵活的处理功能。

简介：美国模拟器件公司（AnalogDevices，Inc．简称ADI）推出的ADN2817，ADN2818，ADN2804和ADN2806四款最新IC扩展了光网络应用中时钟和数据恢复（CDR）集成电路（IC）的产品种类。数据通信和电信应用设计工程师为提高系统鲁棒性并且简化互通性问题需要器件增加指标容限，而最新CDR提供的三种抖动指标（例如抖动传递、抖动产生和抖动容限）都优于步光网络（SONET）指标的三倍，从而简化了系统设计。ADN2817和ADN2818改进了ADI公司适于光网络应用业界领先连续可调速率的CDR系列产品，其功耗比先前产品降低25％，并且增加了功能。此外，ADI公司还推出了两款超低功耗的固定速率IC，它们与ADI公司的连续可调速率CDR引脚兼容并且可将实现宽带无源光网络（BPON）的成本和复杂性降到最低。

简介：最近由于降低了导通和开关损耗，PTIGBT的性能已在200～300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所有性能。IGBT的电导调制使导通电压大幅度减少，总的开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命，这些PTIGBT适于高频电源的应用。硬开关电路的测试表明，300V的IGBT比功率MOS的成本低，性能更好。

简介：综述第一篇《电力电子和电机传动的最新进展（二）》是博斯博士来华讲学所做学术报告的第二部分，在第一部分电力电子基础上，主要对电机的发展趋势做了分析预测。第二篇文章展望电力电子在未来汽车行业前景，介绍了赛米控的SKAI模块。当环保和新能源受到越来越多地引起大家注意的时候，混合动力汽车必将引领潮流；以此为平台开发的各种模块，也必将受到大家的关注。

简介：赛灵思公司宣布推出两种针对德州仪器（TI）DSP的接口。赛灵思SerialRapidIO接口适用于Virtex-4和Virtex-ⅡProFPGA，可向TI高性能TMS320C6455DSP提供高达10Gbps的串行链路。这种高速工业标准链路使面向TIDSP的设计者能够使用赛灵思FPGA来进行DSP加速、总线桥接、逻辑合并或实现新外设。

简介：本书全面汇编了国内外电子元器件产品所使用的晶体三极管及其模块的实用关键参数和代换型号，内容涉及到2006年以前国内外三极管生产厂家的大部分最新三极管（包括三极管模块）的型号。全书共分三部分，第一部分介绍该手册的查询方法，第二部分介绍三极管的型号命名、使用和检测方法等基础知识，

简介：美国国家半导体（简称“国半”）宣布推出九款采用专有的VIP50BiCMOS工艺技术制造的单组装、双组装及四组装运算放大器。这九款产品不但在准确度、功耗及电压噪音等方面有大幅的改善，符合工业设备、医疗仪器及汽车电子系统的严格要求，而且体积也极为小巧，适用于各种使携式电子产品。

简介：伦茨公司全新发布的L—force8400系列变频器，是伦茨继推出8200Vector系列变频器多年之后，发布的最新一代模块化变频器产品。可根据客户的不同需求，为客户提供可定制的模块化驱动解决方案，最终帮助客户提高生产效率，优化设计方案并节省成本。目前最新一代的8400系列变频器按照功能不同分为三种类型。其中，8400Baseline属于简易型变频器，可以完成简单的开环控制，适用于一些较为简单且变化不大的驱动任务，如传送带、水泵、风机、风扇等；

简介：三菱电机半导体将参加2012年6月19—21日在上海世博展览馆举办的PCIM—ASIA2012电力电子、智能运动、可再生能源与能源管理国际展览会暨研讨会。

简介：世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今日宣布，公司与其技术合作伙伴中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）通力合作，开发的6500VTrenchFSIGBT（沟槽类型场终止绝缘栅双极晶体管）取得了阶段性的突破，标志着国内自主高压高功率IGBT芯片从设计研制到工艺开发的整体贯通又上了一个新的台阶。

简介：全球领先的运动控制解决方案供应商丹纳赫传动（DanaherMotion）近期宣布推出一款低噪声、低维护、高稳定性的无刷APS高级动力转向系统。APS系统由一个带有减速器的永磁交流电机和一个带有I／O接口的交流驱动器构成，其CANOpen接口可实现无缝的整合及信息交换。该系统适用于包括一类、二类及三类叉车在内的广泛车辆应用。

简介：在变频器的应用中，有些场合对变频器的体积安求很严格，例如纺织机械，要求变频器做成宽度很窄的“书本”式结构。这样就迫使变频器中散热器必须做特殊设计，增加了散热器设计和安装的难度，同时也增加了成本，影响了散热器的散热效果。泰科电子最新推出的flow90功率模块通过模块内部管脚和散热底板900设计，很好地解决了这个问题。

简介：无论对哪种封装，新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM（Ron＊Qg）——低于6ΩnC，这就注定了此器件将被用于硬开关AC／DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构（ITTF）的功耗。为尽量保证比较有意义，我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入／输出条件。结果表明，与次好的MOSFET移相ZVS桥相比，新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

简介：（中国无锡2010年2月2日）无锡风凰半导体科技有限公司“高电流密度NPT型IGBT芯片”科技成果鉴定会今日顺利举行。会议成立了由电力电子业界权威专家组成的鉴定委员会，无锡市科技局副局长赵建平、滨湖区副区长吴建昌、滨湖区科技局局长吴云亮、滨湖区科技局副局长祁华等领导也亲临指导。鉴定会由中国电器工业协会电力电子分会组织并主持。

简介：2011年苏州电路板展览会同期举办的“苏州电路板研讨会”，将于5月11～13日于苏州国际博览中心举办，本届以“前瞻中国立足PCB产业新世代”为研讨会主题，共计有了9场次、18位讲师。

简介：2013年1月13日，由北京新创椿树整流器件有限公司研发的全压接800A／1700VIGBT项目通过了电力电子行业组织和主持的科技成果鉴定会，鉴定委员会认为该项目在国内首次设计了IGBT和FRED芯片精确定位的整体模架结构，首次设计使用了IGBT芯片精密栅极组件，研究开发了用钼片补偿IGBT和FRED芯片厚度不同的精密公差配合技术，首次采用全压接平板精密陶瓷外壳结构和真空充氮冷压焊密封等技术，开发出全压接平板IGBT产品。解决了焊接IGBT模块易产生焊接空洞、焊接材料的热疲劳、键合点的脱落和单面散热效率低下等难题，具有较强的抗冲击震动和耐疲劳的能力，可靠性高。技术创新点突出，已申请相关发明专利；样品经中国北车西安永电电气有限责任公司测试，符合项目承担单位产品技术条件的要求；样品经用户试用，满足使用要求。

简介：5月14日，从山东省科技厅下达的《2012年度山东省科技成果推广计划》获悉：兖矿集团新风光电子公司高压动态无功补偿装置项目列入2012年山东省科技成果推广计划。