简介：AlolargodelahistorialiterariadeEspafia,espeeialmentedesdeelsigloXX,eleoneeptode＂generaeion＂siemprehaoeupadounpuestoimpreseindible.Loseseritoresdeedadpareeidayestilosimilarsuelenfor-maruneonjunto,osea,una＂generaeion＂,segfinloseritieosliterarios.Enlaliteraturachinaestfiausenteeleoneeptode＂generaeion＂yseinelinamilsalimpaetodedinastiasenlaelasifieaeionliteraria：poesiadeTang,CideSong,dra-masdeYuan...Enesteartieulo,haeiendoeomparaeionesentrelahistorialiterariadeChinayEspafia,elautorseproponeinvestigarlafuneiondelfactorhistorieoenlaformaeiondediehasdiferenteseategoriasliterarias.

简介：通过射频磁控溅射的方法制备了Ta掺杂SnO2薄膜，研究了薄膜的结构和低温下电阻率随磁场的变化规律.测量表明低温下呈现出负的磁电阻，但是，二维、三维弱局域理论均不能解释样品中出现的负的磁电阻现象.综合考虑了三阶微绕近似的s-d交换哈密顿的半经验公式△ρ/ρ=-B1^2ln（1＋BH））和双能带模型的相关公式Δρ/ρ=B3^2H/（1＋BH）拟合了样品在5T以下的磁电阻的数据，理论和实验符合得很好．结果表明Ta掺杂SnO2薄膜中的磁电阻源于局域磁矩的传导电子散射．

简介：以商洛某铅锌尾矿库的铅锌冶金炉窑渣制得的醋酸锌为锌源,尿素为沉淀剂,采用金属离子掺杂的方法制备掺杂金属离子的ZnO粉体.以水体中亚甲基蓝（MB）的光催化脱色降解为模型反应,对各掺杂样品掺杂配比进行优化,考察了光源条件对各掺杂ZnO光催化活性的影响,并对ZnO循环使用的光催化稳定性进行测试.研究表明：掺杂Sn、Ag、Al元素的纳米ZnO,在Sn、Ag、Al与Zn配比分别为1∶9、1∶40、1∶20时,各掺杂样品的催化活性较高.在模拟可见光照射下,各掺杂ZnO样品较纯ZnO对可见光的吸收有一定的增强,在可见光下降解180min后,相应MB溶液的降解率分别达70.8％、64.8％和53.0％.通过循环测试发现,掺Sn氧化锌样品循环使用3次后,其光降解率仍在95％以上,循环5次时,其光解率仍高于90％.

简介：采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法生长了纯ZnO及Co单掺ZnO薄膜.利用金相显微镜观察了Zn1-xCoxO薄膜的表面形貌;同时利用X射线衍射仪（XRD）研究了掺杂浓度对其微结构的影响.结果指出,所制备的纯氧化锌及掺杂氧化锌薄膜样品均具有较好的c轴择优取向生长;实验中,我们在室温条件下进行了光致发光的测量.ZnO薄膜中掺入Co元素会改变薄膜的微结构,导致锌填隙缺陷和氧位错缺陷浓度发生变化,进而影响薄膜的禁带宽度和发光特性.现对最近几年Co掺杂ZnO薄膜的结构和光学性质进行阐述,并对今后的发展方向进行了展望.

简介：采用溶胶-凝胶法制备了La1-xBaxCoO3（0≤X≤0．35）电极材料，系统研究了材料的微结构和电输运性能．研究表明，Ba掺杂的样品生长较好且符合理想的化学配比；当X〈0．3时，材料的晶格结构没有改变，当X≥0．3时，材料发生结构相变，由菱方晶系转变为立方晶系；当Ba的掺杂量达到0．3时，样品由半导体向金属转变，Ba掺杂提高了LaCoO3电导率和在氧化环境下的稳定性，这一特点使其在阴极材料中具有潜在的应用前景．

简介：采用溶肢-凝肢法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火（10-2Pa）、低真空退火（1Pa）和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响.结果表明：四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有C轴择优取向生长特性,当Sn掺杂浓度为5at.%时SZO薄膜的结晶生长最好.高真空退火条件下Sn掺杂浓度为3at.%时,电学性能最优,其电阻率可达到5.4×10^-2Ω·cm.当Sn掺杂浓度小于3at.%时,薄膜的可见光区平均透过率均大于85%,当掺杂浓度高于3at.%时,薄膜的透过率随着掺杂浓度的增大而降低.

简介：采用密度泛函理论研究了钴掺杂氨硼烷分子（Co-NH3BH3）在结构和能量方面的变化。首先对氨硼烷分子在不同波函数基组下进行优化。然后,将Co掺杂在优化后的氨硼烷分子中,计算Co掺杂后对氨硼烷分子的影响。结果表明,当钴掺杂之后,氨硼烷分子中氢原子Mulliken电荷变化明显,氢原子稳定性变差,体现了钴作为催化剂对氨硼烷分子的影响。

简介：采用第一性原理的平面波赝势方法,结合广义梯度近似,分别计算了在常压和高压下,C掺杂碱土金属氧化物X_4CO_3（X=Ca,Sr和Ba）的磁矩,体积和总能量随压强的变化情况以及Ca_4CO_3的能带结构和电子态密度.结果表明,随着压强的增大,X_4CO_3的铁磁性减弱最终发生磁相变由铁磁态转变为非铁磁态.特别是Ca_4CO_3在69GPa时,C原子的自旋贡献随着压强的增大显著地下降.

简介：通过溶剂热的方法制备了掺杂量不同的Cu-BiVO4纳米纺锤体,其长径约为1μm,短径长约为500nm,Cu的存在使BiVO4光催化降解亚甲基蓝（MB）的活性明显增强.用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）及瞬态表面光电压技术（TPV）对材料的结构及光生电荷性质进行研究.XRD和SEM结果表明铜的存在对BiVO4的晶型及形貌并没有显著的影响,而TPV的结果表明铜的存在促进了BiVO4纳米材料光生电荷的分离,抑制其光生电荷的复合,从而提高了材料的光催化活性.

简介：研究在表面活性剂存在下合成不同掺杂量的镧掺杂羟基磷灰石,并对合成样品进行了初步的重金属离子吸附性能测试,了解不同掺杂量对镧掺杂羟基磷灰石形貌及吸附性能的影响。结果表明:La/Ca摩尔比为0.1时,合成了纯相的镧掺杂羟基磷灰石,La掺杂增大了羟基磷灰石的晶胞参数和晶胞体积;La/Ca摩尔比可以调控镧掺杂羟基磷灰石的颗粒尺寸,比值从0.05增加到0.1,颗粒长度由500nm增加到1.5μm、直径从100nm增加到250nm;镧掺杂引起HAP的晶格畸变,可增加HAP的重金属离子吸附性能。

简介：

简介：添加不同含量的稀土氯化物LaCl3，制备了纳米晶体镍，采用透射电镜（TEM）和环境扫描电镜（ESEM）观察镀层的微观组织和结构．结果表明：添加LaCl3可以明显提高镀层表面光洁度、耐蚀性能，在加入1g／LLaCl3时，镀层具有最佳耐蚀性能．

简介：法语，被公认为世界上“最美，最好听”的语言。殊不知，它就如同一位高贵冷艳而风姿绰约的女神，我在追逐她的时候，感到的是难以企及的高度和望尘莫及的距离。法语，就像潘多拉的魔盒。你打开了，会发现这个世界如同极乐净土般的优雅与严谨；却领悟到要想“登堂入室”般融入这个世界是多么的荆棘密布。它就像卢浮宫里三宝之一的“蒙娜丽莎”，充满着莫测的奥妙，流淌着高卢这个奔放又热情的民族千年的传承与骄傲。

简介：本文利用第一性原理赝势平面波方法计算分析了不同浓度稀土Y掺杂CdS的光电性质。计算结果表明：不同浓度的稀土Y掺杂后,CdS的晶体结构发生了改变,晶格常数及晶胞体积随掺杂浓度的增加而增大,能带明显增多、变密,价带和导带均明显向下移动,费米能级进入导带中,导电类型变为n型的直接带隙半导体且带隙有所展宽。随着稀土Y浓度的增加,CdS的静态介电常数、反射率峰值及能量损失函数峰值明显减小,吸收系数峰值明显增大。以上结果可为充分开发和利用稀土掺杂CdS材料调制其光电性质的研究提供理论依据。

简介：通过溶胶-凝胶法制备了Mo不同掺杂量的纳米TiO2光催化剂，进行了UV—Vis分析，并在紫外光源下对降解甲基橙光催化活性进行了测定．最后建立L-H模型和GM（1，1）模型，考查了Mo／TiO2对甲基橙的降解动力学，并对模型进行了比较．结果表明，纳米TiO2当煅烧温度为500℃时，Mo的最佳掺杂量为0．05mol％,L-H模型对有些Mo掺杂纳米TiO2光催化降解甲基橙存在偏差，且Andrews型稳健回归优于最小二乘算法的模拟结果．而GM（1，1）模型对Mo掺杂纳米TiO2光催化降解甲基橙能进行很好的实验模拟．

简介：质子传导固体氧化物燃料电池具有广阔的应用前景,文章探索以BaCeO3为主体均相复合BaZrO3,采用ZnO为烧结助剂,制备了Y和Yb复合掺杂的BaZrO3-BaCeO3,即BaCe0.5Zr0.3Y0.2-xYbxO3-δ（x=0、0.08、0.16）质子导体,重点研究了Y和Yb复合掺杂对质子导体材料烧结性、微观结构和电导率的影响。实验结果表明,x=0时,即BCZY-Z试样具有较好的性能,1350℃烧结6h试样相对密度达到了97.1%,600℃电导率为6.3×10-3S/cm,700℃晶界电阻只有18Ω。

简介：采用辊到辊方式利用金属有机沉积(MOD)技术在双轴织构的NiW合金基带上制备了烧绿石结构的La2Zr2O7(LZO)缓冲层长带样品,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对长带样品不同部位截取短样的织构和表面形貌进行了分析.结果表明,已经制得了具有良好c轴织构且表面光滑的LZO膜.然而长带样品的织构锐利度小于静态短样的织构度,可以认为,热处理过程中影响升温速率以及恒温热处理时间的走带速度是获得高质量长带缓冲层样品的关键因素.

简介：生长了一种新配比的铒掺杂铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅单晶（25PIN-44PMN-31PT-0.02Er2O3）,并对晶体做了完整的冷加工和极化,得到了沿〈001〉方向极化的晶体样品.在室温下利用椭圆偏振仪测量了晶体的折射率谱,通过最小二乘法拟合得到了晶体的赛尔迈耶尔方程各参数.其中Eo=5.471eV;Ed=22.56eV;k=227nm;So=0.8002×10^14m-2.利用紫外-可见-红外分光光度计获得了晶体透射率谱,晶体紫外吸收边为400nm.同时通过计算得到了样品的禁带宽度为2.94eV.

简介：摘要：本文采用密度泛函理论和含时密度泛函理论，分别计算研究了量子点团簇(CdSe)N (N = 6、13和19)和过渡金属掺杂量子点团簇CdN-1SeNV、CdN-2SeNV2（N = 6、13和19）的结构和光学性质，探讨了过渡金属掺杂比例和量子点尺寸效应对结构和紫外可见吸收光谱的影响。为制备稀磁半导体提供理论依据。

简介：2008年的高考已经落幕了，人们急于谈说的莫过于作文题了。今年和去年一样，全国加各省市区一共仍然有18套语文试卷。其中海南和宁夏仍然合用一卷，陕西仍然使用全国卷Ⅰ。18套语文试卷一共有大小作文题20个（北京卷一大一小，浙江卷是二选一）。