简介:对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5.92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验,其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E,加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS/SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS/体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0.02-0.80Gy(Si)/s之间,它符合国家军用标准GJB762.2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时,电路所有表征参数在20min内测量结束。
简介:利用微扰方法研究了动能对玻色-爱因斯坦凝聚体的基态能量的粒子数平均值和粒子几率密度分布的影响,对87Rb原子的模拟结果标定了弱、强相互作用时一维凝聚体中的粒子数范畴。
简介:研究了丝阵负载Z-pinch的气化及电离过程、等离子体形成及融合过程、等离子体的不稳定性及其发展、先驱等离子体的产生机制及其辐射特性、双层丝阵负载内外层丝阵等离子体的内爆碰撞辐射过程、内爆聚心时刻X光辐射快速变化过程及能量转换机制。在“强光”1号、俄罗斯S300及ANGARA-5-1装置上获得了较全面地反映内爆物理过程的实验结果。
简介:压强在几十个兆巴到上百兆巴之间的过渡区状态方程一直是实验室和工程应用中关心的重要问题,在这个范围内既没有实验数据也没有很好的理论来描述,例如,密度泛函的方法由于不含温度而无法适用于过渡区:TF模型的计算由于过渡区的温度压强不太高而使得结果不再令人满意。文中对同类的平均原子结构作了几点改进:(1)考虑了稠密物质中的势阱效应,对传统平均原子模型作动态自由电子判据改进;(2)将准自由电子细分为4个部分,分别处理;(3)修改了中心场近似下正能态波函数的边界条件。在计算压强方面,考虑了共振态对电子压强的影响,引进了量子交换效应和库仑关联效应对压强的贡献。
简介:在强激光重元素靶等离子体中,电子是不能完全剥离的,带有未离化束缚电子的原子的形状受强激光或超强激光与它的相互作用要发生变化,从而产生极化电流,势必影响强激光等离子体相互作用,随着激光聚变发展的要求,精密物理的需要,研究束缚电子对受激喇曼散射的影响很有必要。
简介:采用闪烁体加光电管,建立了一套X射线功率谱测量系统,在“强光”1号丝阵Z-pinch实验中,获取了喷气和丝阵负载的X光辐射功率波形。实验表明将X光探测器设置在与主测量管道成90°的分测量管道中,并选用ST-401闪烁体或红光闪烁体为X光/荧光转换材料,能使可见光透过闪烁体而不在闪烁体中有沉积能量。实验中X光探测器的电磁屏蔽也得到了解决。