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3 个结果
  • 简介:利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明,由于Ge原予的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层,浓度平均值为x≈0.13;650℃退大会使Ge原予向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。

  • 标签: X射线驻波方法 半导体 超薄异质外延层 硅晶体 外延生长 Ge
  • 简介:用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性.根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式:在靠近样品表面一侧的衰减长度为8埃,而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为3埃,且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ce原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等)对样品低角反射曲线的影响.

  • 标签: 同步辐射X射线反射法 薄层异质结构 Ge 半导体材料 表面偏析
  • 简介:采用硝酸铟、硝酸铜和高分子材料作为静电纺丝的前驱体溶液,经过静电纺丝及高温煅烧,获得一维氧化铟/氧化铜复合纳米纤维,制成气体传感器,并对其气敏性进行测试及分析。

  • 标签: 静电纺丝 纳米纤维 气敏特性