简介：一、氧化锌（ZnO）半导体材料作为典型的第3代半导体材料,半导体氧化锌（ZnO）激子结合热能高达60meV,远大于室温下的热能（26meV）。这样,ZnO可以通过激子-激子散射的方式实现受激发射,这种模式比半导体中通常采用的电子-空穴等离子体的受激发射模式的阈值低2个量级以上。因此与Ⅲ族氮化物相比,ZnO其在固态照明、短波长半导体激光和紫外光电探测等领域有明显的优势,已经成为目前半导体研究领域中的热点。
氧化锌纳米结构的压电性能研究
