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  • 简介:介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战。针对尺寸量子化效应。建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型,分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响。得出结论,反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面。造成有效栅氧厚度的增加,阈值电压的波动达到约10%。

  • 标签: 亚100nm CMOS 沟道反型层量子化 栅氧厚度 阈值电压