简介：中子照相是20世纪60年代兴起的一种射线照相无损检测技术。中子与常规X射线原理相类似,但在穿透物体时的吸收特性显著不同,因此两种照相技术在适用范围上有一定的互补关系。国外中子照相技术已在航空航天、生物、考古、电子等方面有成功应用,国内由于中子源资源不易获得,应用研究滞后。简要介绍了中子照相技术的原理和检测系统构成,其基本构成为中子源、准直器和像探测器。阐述了中子照相技术的发展过程及国内外发展现状,列举了中子照相技术目前的国外的主要标准和工程应用情况,最后从研制移动式中资源、开展工业应用研究,建立相关标准等方面对我国中子照相技术发展趋势进行了展望。

简介：从静电放电（ESD）导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因。结果表明：功率肖特基二极管由于需要生长SiO2作P^＋扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各种原因（例如Si表面的微缺陷、刻蚀不干净等）残留少量或极少量SiO2,从而在肖特基二极管中引入对ESD敏感的金属氧化半导体（MOS）电容结构,造成器件的抗静电能力大幅下降。该研究结果对肖特基二极管生产、使用以及失效分析具有重要指导意义。

简介：通过射线照相检测对TC4钛合金铸件内部常见缺陷及其在热等静压前后的演变进行分析,结果表明：TC4钛合金铸件内部大部分闭合孔洞类缺陷经热等静压均可消除,内部缺陷底片上显示消失;少量的夹杂类和非闭合孔洞类缺陷未压合,在底片上与热等静压前缺陷显示基本一致;个别缩孔缺陷部分压合或表面压陷,极少量的大尺寸缩孔缺陷压缩变形为线性缺陷,在底片上缺陷显示形态发生变化。由于线性缺陷的结构特征在射线照相检测时易导致影像对比度下降,进而影响缺陷的检出率,因此应在热等静压前对易产生缩孔部位进行射线照相检测并将大尺寸缩孔清除补焊,避免热等静压后缩孔压缩变形造成缺陷漏检。