简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。
简介:TD-LTE系统与雷达系统在传统方式下难以实现系统间电磁兼容,而将认知无线电思想引入到TD-LTE系统,以动态接入的方式与雷达系统共享频谱,为两者的兼容共存提供了可能性。基于认知TD-LTE系统的典型工作场景,首先分析了保护授权雷达系统的要求;接着选取S波段典型雷达参数,计算了雷达主瓣带宽内的分析时间长度和脉冲数,并结合TD-LTE帧结构特点,分析了上行连续时隙内所能检测到不同雷达参数时的脉冲数,给出了能完成雷达有效检测的时隙配比方案;最后通过仿真不同雷达的检测性能,证明了合理配置的TD-LTE帧结构可利用上行连续时隙有效地检测到雷达信号。
简介:针对雷达等机电产品的基础共性问题,以其机械系统为核心,进行虚拟产品研发技术研究,提出了复杂机电产品虚拟装配、自动化仿真、CAE计算结果可视化发布的解决方法,突破了基于人自然操作的交互式虚拟装配、数字样机高级仿真、CAE计算结果可视化等关键技术,解决了基于人自然操作的自动装配、基于可配置模板的自动仿真以及CAE计算结果的重构等难题,实现了对雷达等机电产品研发过程中基于数字样机技术的虚拟产品自动化装配设计、自动化仿真以及CAE计算结果的发布,形成了雷达虚拟产品集成研发平台。