简介:研究了辐照对4H-SiC纵向双注入金属氧化物场效应晶体管(VDMOS)电学参数的影响.通过SRIM和SILVACO软件仿真,观察到器件不同区域引入损伤后电学参数的漂移.仿真结果表明,不同区域的损伤会造成器件电学参数不同的退化.器件JFET区的非电离损伤会使器件的导通电阻增大,而靠近碰撞电离中心的非电离损伤会使器件的击穿电压增大.辐照在器件界面处引入的正电荷或负电荷同样会对器件的电学参数带来很大的影响.沟道上方SiC/SiO2界面处的正电荷会导致器件的阈值电压、导通电阻以及击穿电压降低,而终端区主结上方的SiC/Metal界面处的正电荷只会导致击穿电压的降低.相反,沟道上方SiC/SiO2界面处的负电荷会导致器件的阈值电压、导通电阻以及击穿电压增加.
简介:摘要125℃紫外光辐照交联无卤低烟阻燃电缆因为其独有的特殊性以及重要性,一直以来都受到了国家的高度重视,是国家近年来的重要研究课题。本文重点探讨了125℃紫外光辐照交联无卤低烟阻燃电缆的特性、原理,125℃紫外光辐照交联无卤低烟阻燃电缆的优点,辐照原理的说明以及深入的研究了125℃紫外光辐照交联无卤低烟阻燃电缆未来的发展方向以及在发展中遇到的各种问题等,希望读者能从中收益。
简介:材料处于辐照条件下会产生缺陷,这些微观缺陷积累会在宏观上有所体现。本文选用不同能量的原子向bcc-Fe表面进行碰撞,会产生位移级联现象。本文利用基于LAMMPS程序的分子动力学模拟方法,研究不同能量的初级碰撞原子对bcc-Fe缺陷数量的影响。结果表明,辐照损伤会对材料产生一定的缺陷;本文主要研究了在辐照损伤过程中,初级碰撞原子能量分别为700ev、1Kev、2Kev对材料缺陷数量的影响。初级碰撞原子能量对最大缺陷数目产生了一定的影响,当初级碰撞原子能量为700ev时,最大缺陷数目(间隙原子数目=空位数目)为45个;初级碰撞原子能量为1Kev时,最大缺陷数目(间隙原子数目=空位数目)为75个;当初级碰撞原子能量为2Kev时,最大缺陷数目(间隙原子数目=空位数目)为155个;随着初级碰撞原子能量的增加,缺陷数量随之增加,但初级碰撞原子能量对体系达到稳定状态时的缺陷数目影响不大。
简介:摘要 : 班主任工作很 繁琐,特别是突如其来的偶发事件,可能搞得班主任措手不及,十分恼火。但是咄咄逼人的训斥,尖酸刻薄的嘲讽,横暴野蛮的体罚,并不能显示出教育的威力,反而会暴露出班主任心理素质脆弱、情感素质浅薄。很多有经验的班主任能将问题消灭于萌芽状态,防患于未然,即使遇到突发事件,也能泰然处之、临阵不乱,在一颦一笑或娓娓而谈中使问题得到妥善解决。