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  • 简介:在冲击动态加载破坏下,金属材料会产生微孔洞、微裂纹和位错等微结构缺陷,这会明显影响材料的某些性能。采用中子小角散射技术研究了冲击加载前后合金材料微缺陷的变化。实验样品分别是以Al和Mg为基体、含有少量其他元素的两种圆柱状合金材料,将样品用不同速度的钢弹冲击,测量样品为加载前、后合金材料共计4个。

  • 标签: 冲击加载 合金材料 结构缺陷 中子小角散射实验
  • 简介:采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法计算了不同Al含量的固溶体Sn-Al合金的总能量与电子结构,得到Sn0.7Al0.3合金比例最适合用于锂离子电池Sn基合金材料,并对Sn0.7Al0.3合金嵌锂后的各种物理性质和电化学性质进行了理论计算,发现该固溶体合金相具有较稳定的电化学嵌锂电位和良好的充放电循环性能.同时采用磁控溅射制备了该合金薄膜材料,测试结果与理论计算具有较好的一致性.

  • 标签: 锂离子电池 Sn-Al合金 第一性原理
  • 简介:硅钙合金是一种炼钢脱氧剂,其中若存在游离硅、二氧化硅杂质会影响炼钢脱氧效果,目前国家标准无硅钙合金中游离硅分析方法。研究了氢氧化钠溶液提取非合金相硅的条件,用硅钼蓝光度法分析硅含量,分析方法回收率达95.9%,可用于硅钙合金中非合金相硅测定。

  • 标签: 硅钙合金 微波溶样 分析
  • 简介:采用液相外延工艺成功制备了Tb3+,YAGG单晶荧光层,研究了Tb,+激活YAG主晶格外延层中Ga3+掺杂的荧光敏化效应,可以看到在Tb"十荧光得到显著增强的同时,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga"十掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽,并与Tb3+的’F。一,E、7E典型吸收峰发生交叠的现象,用

  • 标签: 有机电致发光材料 外延荧光层 主晶格 掺杂 外延层 敏化效应
  • 简介:O482.312002032290稀土铽配合物的升频转换荧光=Up-conversionfluorescencespectraofTb3+complexes[刊,中]/陈慰宗,杨一心,宋应谦,忽满得,高平安(西北大学物理系.陕西,西安(710068))//光子学报.-2001,30(8).-970-972以波长为532nm的激光作为激发光,观测了铽(Tb)三种不同配合物的荧光光谱,讨论和分析了铽配合物的升频转换荧光的特性、发光机制及配体的影响。图

  • 标签: 升频转换荧光 稀土铽配合物 荧光光谱 西北大学 发光机制 光子学
  • 简介:提出了用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定铋系超导材料合金元素含量的方法。通过实验确定试样溶样方法,最终采用硝酸+盐酸溶解样品;选择Bi223.061(151);Pb216.999(155);Sr346.446(97);Ca315.887(106);Cu224.700(149)作为元素分析谱线;确定最佳的仪器工作参数。方法回收率为99.0%-102.0%,RSD小于1.0%,具有良好的准确度和精密度,能满足日常超导材料合金组分的分析。

  • 标签: 铋系超导材料
  • 简介:我们针对金属和合金纳米固体提出了简化的电阻模型,并据此得到了纳米固体总电阻与纳米粒子电阻的关系。依据这一模型,我们对纳米固体电阻特性的尺寸效应、温度效应和压力效应及其与常规多晶材料的差别等进行了有效的物理解释。

  • 标签: 纳米固体 电阻特性 简化模型 物理解释
  • 简介:在电阻点焊过程中喷溅的产生直接降低焊接接头的强度,是最不希望出现的焊接缺陷,而在镁合金的电阻点焊过程中,使用大电流短时间的强规范会使低熔、高导热、高线胀系数的镁合金极易产生喷溅。镁合金对于喷溅的敏感性远远大于钢和铝合金。对镁合金电阻过程中喷溅产生的原因进行分析,对控制和减少焊接过程中的喷溅现象,保证焊点质量具有重要的意义。

  • 标签: 电阻点焊 镁合金 喷溅 原因 焊接接头 焊接缺陷
  • 简介:薄壁曲面铅合金铸件(简称铅铸件)采用砂模或金属模铸造,经机械加工成壁厚约3-4mm的变壁厚曲面回转体,要求精加工后内部不得有大于φ0.4mm以上的渣孔类缺陷。

  • 标签: 合金铸件 射线检测技术 曲面 薄壁 金属模铸造
  • 简介:金属V作为贮氢材料具有良好的增压性能因而在ICF靶丸制备工艺中备受关注,但是金属V难活化,严重影响了其在增压材料方面的应用。为了改善金属V的活化性能,向金属V中掺杂少量的金属Ni以期达到对其改性和改善其贮氢性能的目的。

  • 标签: 吸氘性能 NI合金 制备工艺 贮氢材料 活化性能 ICF靶丸
  • 简介:利用原子参数一模式识别方法研究了若干二元系合金化行为的规律,并在此基础上,提出了二元系合金相的判据。

  • 标签: 合金相 模式识别 原子参数
  • 简介:材质为2A14铝合金深孔杯形毛坯件,由于壁薄,材料热变形温度范围窄,合金流变困难,若采用常规锻造的反挤压成形方法,势必造成杯体内、外壁变形不均,温度下降过快,变形抗力大,成形难度较大。等温成形工艺是零件毛坯精化和优化的一个重要途径,但对设备和模具的要求较高,成本高。因此运用有限元数值模拟结合试验对铝合金杯形件挤压成形工艺进行可行性研究,以减少研究试验成本。

  • 标签: 成形工艺 等温挤压 铝合金 杯形件 有限元数值模拟 试验成本
  • 简介:介绍一种新型智能材料———形状记忆合金,包括其主要性能及应用,着重阐述NiTi形状记忆合金在医学领域的应用状况。

  • 标签: 形状记忆合金 医学材料
  • 简介:为研制具有较宽频带微波吸收性能的材料,采用机械合金化法制备CoxFe80-xSi20(x=0,6,10,14摩尔百分数)合金粉体,使用SEM、XRD和矢量网络分析仪等测试手段,研究了合金粉体微观结构及Co-Fe-Si合金微波吸收性能。结果表明:制备的合金粉末呈片状,主要由-Fe相组成;Co的添加使Co-Fe-Si合金出现两个微波吸收峰。在较高频段处的微波吸收峰值随Co的添加先增大后减小。在涂层厚度为1.8mm时,x=10的合金低频处的反射率最小值最小,合金吸波峰频率和峰值分别为6.2GHz和-14.8dB,合金在高频处吸波峰频率和峰值分别为18GHz和-8.8GHz,合金反射率低于-5dB的带宽达14GHz,具有良好的微波吸收宽频效应。

  • 标签: Co-Fe-Si合金 吸波材料 电磁参数 反射率
  • 简介:O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白(中科院半导体所.北京(100083))//半导体学报.—1998,19(5).—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15(方舟)O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明(中科院半导体所.北京(100083)),周必忠,肖方

  • 标签: 硅发光 光致发光谱 半导体 超晶格 发光机制 量子限制效应
  • 简介:在磷酸钠-磷酸二氢铵-高锰酸钾体系中对镁合金进行化学转化处理.研究了磷酸钠、磷酸二氢铵、高锰酸钾、温度、时间和添加剂对转化膜性能的影响.通过对转化膜结构、成分及性能的测试评价,得到了性能较好的化学转化溶液配方:Na3PO4为5g·L^-1,NH4H2PO4为15g·L^-1,KMnO4为1g·L^-1,添加剂(NH4)5Mo7O24为0.5g·L^-1.由SEM可观察到转化膜的表面成“干枯河床”状.XRD和EDS检测表明,膜层的主要成分是Mg,Al12Mg17和无定形相,膜层表面主要有Mn,Mg,K,O和Al等元素组成.腐蚀实验和电化学测试表明,添加剂能够降低转化膜的腐蚀率,转化膜较基体的腐蚀电位正移了0.73V,提高了镁合金的耐蚀性.

  • 标签: 镁合金 化学转化膜 腐蚀率 电解液
  • 简介:O482.3195021317P-GaP中离子注入缺陷的形成=Formationoftheion-implantationdefectinP—typeGaP[刊,中]/李宝军,张旭(甘肃教育学院物理系.甘肃,兰州(730000))//半导体光电.—1994,15(4).—369—371研究了Zn+离子注入P—GaP半导体所引起的缺陷.在电流密度为0.03μA/Cm2下,将注入Zn+离子剂量为1×1014离子/厘米2的GaP样品腐蚀出蚀

  • 标签: 离子注入 半导体 光致发光光谱 电流密度 教育学院 锗酸盐石榴石
  • 简介:TB342002032291紫外光固化涂料的研究现状=ResearchstatusofUVcuringcoatings[刊,中]/白新德,查萍(清华大学材料科学与工程系.北京(100084)),尹应武(清华大学化学系.北京(100084))//清华大学学报.自然科学版.-2001,41(10).-30-32从紫外固化技术的原理出发,概述了国内外研究进展。介绍了光固化涂料的各个组成部分及其发展情况,分析其性能和结构的关系,提出了既要开展理论研究又要重视应用研究的新思路。在展望了紫外光固化涂料

  • 标签: 紫外光固化涂料 清华大学 发展情况 研究现状 研究进展 自然科学版