简介：2004年11月5日，中国原子能科学研究院举行2004年游泳池反应堆(SPR)场区应急演习，国家环保总局核安全司及核安全中心有关专家到现场进行监督评价。此次演习自早9：30分开始至10：45分结束，历时75分钟，验证了原子能院核事故应急计划的有效性、检查应急组织的应急响应能力。

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简介：简要介绍了国际原子能机构（IAEA）近年来在研究堆开发与安全管理方面的重要举措，以及未来发展的趋势。针对国内目前研究堆的现状，建议与IAEA开展相关合作。

简介：本文从国家立法基本原则出发,结合原子能事业的特点,参照国际类似立法的经验,提出了我国原子能法编制中应当坚持的若干原则,并对原子能法的内容框架作了描述.作者认为,原子能法是我国开展核技术和平利用促进国民经济健康发展的重要法律武器,必须坚持"军"、"民"分开治理;在民用部分,应当坚持市场配置资源与政府加强监管的模式;为了有效地保护社会与环境,实现可持续发展,政府的监管应执行资质要求、许可证审批和独立监管等三大原则.原子能法既要与国际惯例及我国所作的国际承诺接轨,又要充分汲取我国已有相关法规条例的精华,与已有的成功实践相接轨.

简介：介绍了国际原子能机构(IAEA)同行评议的方法、范围，并简要介绍中国同行评议的结果。

简介：2004年11月23日至12月3日，国际原子能机构(IAEA)同行评议团(IRRT)来华，来自英国、加拿大、瑞士、西班牙、国际原子能机构的专家以及来自日本的观察员共8人，对我国核安全监管部门进行了同行评议回访。2000年，评议团就中国的核安全监管体制、组织机构、职能、法律法规、监督和审评进行了全面的评议。此次回访持续8天，以审查和对话为主，期间还与核电营运单位进行了对话。最后，

简介：1.8概率论安全评价方法及今后对安全评价的展望(1)概率论安全评价方法的用途及研究课题目前的安全评价做法是:假设某一设计基准事件(DBE),如果发生了该事件,评价核电站的行为,然后跟判断准则相比较,以判断该核电站是否符合要求,是否安全。这种评价方法是以确定论的方式假定具有安全功能机器设备起作用或不起作用来评价核电站的安全性,对于不起作用的机器设备,依据这些系统及机器设备的不同功能,假设一“单一故障”,不再假设其它的因素。

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简介：作为BSRF改进项目的重要内容之一，为高压科学研究专用的4W2光束线和实验站屏蔽棚屋(HUTCH)已完成设计和建造，于2002年冬季投入使用。高压站也由3WlA光束线移至4W2，对实验设备进行了重新组装和调整，并对用户提供了部分机时。在科学院知识创新重要方向性项目的支持下，同步辐射高温高压实验平台的建设正在进行，已完成了部分设备的研制与安装。新的光束线和实验站将在光源质量和设备性能上有一个很大的提高，为获得高质量的高压实验数据提供保障。

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简介：为了加强对放射源的监督管理，中国政府调整了监管体制，并吸收国际先进的管理经验，结合中国的实际情况，出台了一系列科学化举措，包括对放射源实行统一全过程监管、对放射源实行身份管理、建立全国放射源监管信息系统、对放射源实行分类管理等。

简介：本文用EXAFS方法研究了Fe85Zr9B6和Fe84Zr9B6Cul合金退火过程中Fe和Zr原子近邻配位结构的变化。表明在823K以下整个退火过程中Zr原子始终存在于非晶相中，没有进入晶化相。晶化相为bccα－Fe。Cu的加入降低了晶化温度。

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简介：随着北京同步辐射光电子能谱实验站持续稳定的开放运行，用户基于该实验站提供的光电子能谱各种实验模式开展了从金属表面界面电子结构到纳米材料、掺杂金属富勒烯以及磁电阻氧化物体系电子结构的研究工作。本文中选择部分具有代表性的实验结果进行介绍。

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简介：对于x从0．0到0．4之间变化的Pt1-xSrxMnO3多晶体所进行的价带光电子能谱实验显示，在Fermi边和Fermi边以下－12eV范围内出现的能带态密度随掺杂量x有一个显著的变化。对这些现象以Pr1-xSrxMnO3体系在基态下发生电荷转移为出发点进行了讨论。提出了随掺杂量x的非线性电荷转移机制和存在由电荷转移导致的二级相变的可能性。

简介：我们用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物SrTi1-xSbxO3(x=0,0.05,0.10,0.15,0.20）薄膜的电子结构。该薄膜系列在可见光波段透明，其透过率均超过90％。所有掺杂薄膜均导电。同步辐射电子能谱研究结果表明该薄膜中来自Sb杂质的退局域化电子在母化合物的禁带中引入了杂质能级。这是导电性的根源，价带中很小的电子态密度限制了跃迁几率。大的禁带宽度和小的跃迁几率是光学透明性的原因。

简介：X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段。利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展的由反射实验数据逆向求解原子深度分布的分层逼近法，研究了不同温度下分子束外延生长的δ掺杂（Sb)Si晶体样品，成功地测量了样品中几个纳米范围内的Sb原子深度分布，所得结果表明，300℃以下是用分子束外延方法在Si晶体中生长Sb原子δ掺杂结构的合适温度。

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