简介：ThepreparationofPT/PEK-cfilmsisreportedaswellastheirdielectricandopticalproperties.Thec-axisorientationratioofthefilmsis68%.Dielectricconstantandlossfactorat10kHzisabout4.023F/mand0.003,respectively.Therefractiveindicesofthefilms,neandno,are1.6573and1.6278at0.63μmwavelength,respectively.Theopticalband-gapofthefilmwithathicknessof2.33μmisfoundtobe3.06eV

简介：<正>台积电CEO兼董事长张忠谋近日在加州圣何塞的一次技术会议上表示,台积电将会和整个半导体产业一起,向14nm以下的制造工艺进军。张忠谋认为,2011-2014年间的全球半导体市场的发展速度不会很快,原因有很多,其中之一就是受摩尔定律制约,技术发展的速度会趋于缓慢。张忠谋表示,2xnm时代眼下很快就要到来,1xnm时代也会在可预见的未来内成为现实,而台积电或许无法在他的任期内走向1xnm,但肯定会竭尽全力将半导体制造技术带向新的水

简介：从2003年8月OKI公司推出C5000／C7000／C9000全系列彩色LED页式打印机以来．其出色的产品品质得到了众多用户的青睐．尤其是C5100、C5300等两款入门级产品，与其它厂商的同类机型相比．其打印速度、打印质量、分辨率、功能拓展以及总体拥有成本等指标都遥遥领先．被众多IT媒体授予了”2003年度推荐产品”称号。

简介：<正>由半导体研究公司(SemiconductorResearchCorp.,SRC)所资助的一个研发团队日前宣布,已经开发出一种新颖的自组装技术,该技术之前仅在实验室进行实验,但现在已经能针对14nm半导体工艺完善地建立所需的不规则图案了。藉由解决芯片微缩过程中一项艰难的光刻挑战—即连接半导体和基板的微型接触过孔—这些斯坦福大学(StanfordUniversity)的研究人员展示了一款22nm的实作电路,声称可朝14nm转移,而且还能直接朝10nm以下节点发展。

简介：研究表明含氟气体的性质决定了原子氟（F）的转化效率,通常在CxFy气体中x的值越大,氟（F）的转化效率也就会越高。所以C3F8（八氟丙烷）比C2F6（乙氟烷）具有更高的利用效率,更少的PFC（全氟化物）的排放。文章主要研究在以四乙氧基硅烷（TOES）为基础的离子增强化学气相沉积（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD）的清洗制程中,利用分解效率高的C3F8气体取代C2F6气体。通过实验设计（DesignOfExperiment,DOE）,调整腔体压力、射频（RF）功率、气体流量等参数,最终得到最优化的新清洗配方。应用到实际的量产中,有效地降低了成本,减少了PFC的排放。

简介：Dempster-Shaferevidencetheory(DStheory)iswidelyusedinbrainmagneticresonanceimaging(MRI)segmentation,duetoitsefficientcombinationoftheevidencefromdifferentsources.Inthispaper,animprovedMRIsegmentationmethod,whichisbasedonfuzzyc-means(FCM)andDStheory,isproposed.Firstly,theaveragefusionmethodisusedtoreducetheuncertaintyandtheconflictinformationinthepictures.Then,theneighborhoodinformationandthedifferentinfluencesofspatiallocationofneighborhoodpixelsaretakenintoconsiderationtohandlethespatialinformation.Finally,thesegmentationandthesensordatafusionareachievedbyusingtheDStheory.ThesimulatedimagesandtheMRIimagesillustratethatourproposedmethodismoreeffectiveinimagesegmentation.

简介：首先,分析了美军指挥、控制、通信、计算和赛博（C5）装备的最新发展情况,然后,综述了美军为推动C5装备发展与应用而采取的各种措施,即根据作战需求拓宽发展领域;加强顶层设计,指导装备发展;调整机构设置,明确相关职责;采取各种措施,全面提升C5装备能力。最后,阐述了美军C5装备的发展趋势。

简介：市场研究单位YoleDeveloppement（Yole）指出，碳化硅（SIC）电力电子产业发展具高度潜力，包括ROHM,Bombardier,Cree,SDK,STMicroelectronics,In-fineonTechnologies,Littelfuse,Ascatron等厂商都大力投入。Yole预测到2023年SiC功率半导体市场规模预计将达14亿美元，2016年至2023年间的复合成长率（CAGR）为28％，2020～2022年CAGR将进一步提升至40％。

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简介：CIC滤波器作为一种高效的多采样器件，具有低通滤波的作用。它仅利用加法器、减法器和寄存器（无需乘法器），实现简单、成本低且速度高，因此被广泛应用。文章介绍了一种2～63倍内插率可编程的14位CIC内插滤波器的结构和特性，讨论了在设计中应注意的溢出保护、CIC通带补偿等问题。

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简介：本文叙述了660MW中间再热机组强制循环汽包炉的炉本体采用盐酸清洗、采用磷酸和多聚磷酸盐进行漂洗钝化的清洗工艺方法.其特点在于:为减缓金属腐蚀,必需严格控制清洗工艺配方.通过缓蚀剂对比小型试验探索出:在酸洗配方和水冲洗过程中,添加适量的异抗坏血酸钠还原剂可以抑制三价铁离子对金属的腐蚀,并可避免因水冲洗时间过长而产生二次锈蚀.该工艺实际应用后效果良好,金属腐蚀速率及腐蚀总量均显著小于(DL/T794-2001)所规定的标准.该工艺还探索出:在酸洗和酸洗后的冲洗水中添加异抗坏血酸钠后,能够有效抑制三价铁离子的腐蚀危害,并减少二次锈蚀的产生.

简介：<正>今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出,整个半导体产业的发展方向正在转向全耗尽晶体管架构。然而,如果FinFET和其他全耗尽多栅架构只能从14nm开始供货的话,在这之前我们又应当怎样应对呢?早在数年之前,Soitec及其合作伙伴就在开展紧

简介：小分子有铟听氧化物(ITO)的结构的器官的太阳能电池(振荡)/molybdenum三氧化物(MoO3)(5nm)/rubrene(nm)/fullerene(C70)(ynm)/2，9-dimethyl-4，7-diphenyl-1，10-phenanthroline(BCP)(6nm)/aluminum(艾尔)(150nm)被制作。为设备的活跃的层的厚度在细节被调查。结果证明rubrene层和C70层的最佳厚度分别地是30nm和25nm。设备的降级也被调查。，结果显示开电路的电压(Voc)不变化电线走火电流密度(Jsc)，用时间连续地填满因素(FF)和功率变换效率(PCE)减少。降级能在周围的扩散并且渗透到活跃材料并且在房间与C70反应被归因于氧，它能导致界面的系列电阻的增加。

简介：4月10日至14日在广东东莞举办的中国（广东）国际印刷技术展览会．方正以印刷行业全流程解决方案隆重登场，其中，方正电子印捷数码业务板块展示了最新产品及技术．方正印捷在传统印刷向数码印刷的过渡时期，继续引领印艺技术潮流的实力和决心。在印刷展现场，北大方正电子有限公司副总裁董瑛和中国惠普有限公司Indigo销售总经理刘震正式揭开了高端数码应用旗舰产品——方正印捷C5000HPI产品的神秘面纱。

简介：SYSTEM3000C对于小型基板，以世界最高水平的流体控制技术，可高精度的进行各种液剂涂布的点胶机。以省空间及小型化的设计实现高产能。

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简介：在《中国计算机报》2004年度IT产品“编辑选择奖”评选中，OKI低端型高速数码彩色打印机C3100凭借出色的性价比优势，获得评审小组的一致认可与推荐，获此荣誉奖项，这也是继C3100被业内媒体评选为“明日之星”和“技术特色奖”之后，获得的又一殊荣。

简介：在彩色商务越来越多的走进我们的视野时．色彩便成了难以抵挡的诱惑．并成为当前高质量办公必不可缺的环节。近日．佳能一举推出了iRC2880i／C3380i和iRC4580i三款面向商务应用的主流彩色数码复合机产品。此三款产品应用了大量的新技术和增强的新功能，开创了彩色数码复合机的新时代．使其在彩色数码复合机的市场竞争中独领风骚。

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