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20 个结果
  • 简介:<正>问题的提出笔者在制造一台高压冲击电流发生器(波形为10/310μs,10/1000μs)时,脉冲的重复周期为1s、2s、3s、4s、5s、6s……20s可调,脉冲的极性要求是正负可变和输出正负极性相间的脉冲。需要一个开关,电路如图1所示,对这个开关的要求是断路时承受全部高压,通路时电流变化率要快,流通电流约100App。

  • 标签: 晶闸管 高压大电流 控制极 冲击电流发生器 触发单元 组件
  • 简介:为了满足对直流电流进行检测的同时实现对电流信号缩小的需要,设计了一款电流检测电路,采用CSMC0.5μm120VBCD工艺。不同于传统电流检测电路,该电路直接对电流信号进行处理,输出具有较好的线性度,同时对输入信号基本无影响,并且电路结构较为简单,能够较好地满足IP核应用的需要。通过仿真验证以及流片、测试,证明该电路具有良好的功能性。文中同时给出该电路IP数据提取过程以及后续电路。

  • 标签: DC电流检测 IP核 VERILOG-A
  • 简介:对于有机薄膜器件(包括有机电致发光器件(OLED)和有机场效应晶体管(OTFT)),器件的电流机制直接决定了器件的性能,因此深刻理解其相关机理是十分必要的。虽然对于有机薄膜器件的电学性能研究较早,但是由于器件结构及有机薄膜内部影响机制的复杂性使得不同学者的研究结果很不一致。为此,文章以相同的镁银合金(MgAg)为电极,有机电子传输及发光材料八羟基喹啉铝(Alq3)为有机功能层,深入研究了MgAg/Alq3/MgAg器件的电流机制。测试及拟合结果表明,该器件为单电子器件,器件的电流属陷阱电荷限制电流机制。不同温度下的测试结果表明,随着温度增加器件电流迅速增加,这是因为随温度增加,器件中载流子的浓度和迁移率呈指数上升。

  • 标签: 有机薄膜器件 电流机制 陷阱电荷限制 空间电荷限制
  • 简介:摘要本文设计了一种非接触式电流检测装置。本装置采用STM32作为主控,MPS430为控制器,由漆包线绕锰芯磁环电流传感器,用OPA657芯片制作电流转电压电路将电流转换成电压,再用STM32自带AD模块对产生的电压信号进行采集,使用FFT快速傅里叶变换,将信号离散化。此电流检测分析电路可测电流峰峰值范围为10mA~1A,电流测量精度优于5%,频率测量精度优于1%。

  • 标签: 非接触式 FFT
  • 简介:在传统参考电流源的基础上,设计了一种结构更为简单,与电源电压、温度无关的参考电流源,并在此基础上进一步优化了自偏置电路镜像电流的精度,更好地提高整个电路的性能。该电路基于SMIC0.18μmBCDCMOS工艺,使用Cadence仿真软件进行电路仿真。结果表明,在-55~125℃的温度范围内,该电路的输出电流变化不超过3%,并且优化后的电流源镜像精度也得到了大幅度的提高。

  • 标签: 参考电流源 自偏置电路 CADENCE
  • 简介:模拟电路工作在低电源电压下是集成电路小型化和低功耗要解决的首要难题,而基准电流源电路是模拟电路中最常用的模块。因此,低压基准电流源电路对集成电路低功耗设计具有重要意义。描述了一种在0.13μm、1.2VCMOS工艺下实现的基准电流源电路,后仿真结果表明,电路能够在1.2V电源电压下工作,功耗380μW,温漂值为15×10-6·℃-1。

  • 标签: 基准电流源 低电压 启动电路
  • 简介:随着电力事业的发展,电能质量问题得到了越来越多的关注。为了在电能质量装置的设计实验阶段就详细分析和解决其在实际电网中可能遇到的各种问题,设计一种性能良好、可靠且功能多样化的扰动装置就成为必然的需求。文中介绍一种电压等级10kV,容量3MVA的电流扰动装置,主要用于模拟真实电网系统的各种电流环境。装置前端采用单位功率因数的全桥全空整流器,级联H桥拓扑用于产生所需的各种类型电流扰动源。文章着重介绍了装置各项参数的详细设计计算方法,并介绍了基于matlab/simulink的仿真结果,同时证明了文中所提出的设计方法的可行性和该装置投入使用的可行性。

  • 标签: 电流扰动发生装置 H桥级联 电能质量
  • 简介:在高速光通信系统中,接收端收到的光信号脉冲强度随通信距离、光纤损耗等因素变化,因此需要检测平均光电流,以确定接收端光功率,对应调整放大器增益,实现不同通信距离情况下光信号的高速接收,避免放大器饱和或者增益不足的情况。提出一种光接收电路中平均光电流检测电路的设计。通过运放钳位光电二极管阴极和采样电路,实现对平均光电流的采样与输出。为克服随机失调对采样精度带来的影响,在运放设计中采用了OOS[1](输出失调存储,OutputOffsetStorage)技术,通过采保电路存储输出失调电压,并对应产生失调电流补偿输出失调电流,实现了失调电压的消除,保证了电流采样精度。所提出的平均光电流检测电路采用0.18μmCMOS工艺进行设计。测试结果表明,在1.25Gbps的通信速率下,实现了7.5%的平均光电流采样精度。

  • 标签: 平均光电流检测 输出失调存储 光通信
  • 简介:注入电流是影响VCSEL偏振特性的重要因素。谊论文通过实验,测量了VCSEL的出射光偏振特性随着注入电流的变化。观察到了两次偏振转换的过程,即随着注入电流的升高出射偏振光由椭圆偏振光——圆偏振光——椭圆偏振光——圆偏振光——椭圆偏振光的过程,并且在变化的过程中电流的变化范围很小。

  • 标签: 垂直腔面发射激光器 注入电流 偏振光 偏振转换
  • 简介:针对IEC61000-3-2:2014版本出版以后的技术发展变化,分析了IEC谐波电流发射限值标准修订中涉及的待测物工况设置要求的新变化。对电视接收机(电视机)的试验条件,自镇流灯谐波电流发射值测试评定程序,带有内置式调光器LED灯具测试要求,涉及LED灯具标准条款的修订趋势,以及谐波电流发射测试技术标准化发展趋势进行了详细分析。对今后在该标准的修订提出了技术层面的意见。

  • 标签: 电磁兼容 谐波 修订 试验配置
  • 简介:本文叙述由电流互感器、PIC单片机、运算放大器等组成的智能漏电流保护器及其硬软件设计。智能漏电流保护器具有大漏电流和小漏电流控制,实现报警与保护作用,并具有缺相保护功能。

  • 标签: 电流互感器 PIC单片机 漏电流保护器
  • 简介:通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件(即增加基区结深),使晶体管厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

  • 标签: 功放电路 静态电流 电源电压 基区结深 厄利电压
  • 简介:<正>半导体行业由盛转衰的论调不断出现,很多专家预测"摩尔定律的终结"即将到来。让我们来看看过去四十年间驾驭着半导体行业的这个定律相关的一些情况。摩尔相信半导体相关的科学进步对经济发展至关重要。因为半导体在工业、政府、国防领域的应用范围极广。他认为这取决于科学发展步伐与生产更强

  • 标签: 摩尔定律 晶圆厂 功率晶体管 生产成本 硅芯片 经济发展
  • 简介:在SMT制造过程中相当多的企业会碰到立碑现象,特别是在无铅工艺技术应用后,由于无铅锡膏的浸润性变差,这种现象更为突出,工程师们在解决这个问题时方法各异,众多SMT技术论坛有非常多的技术人员在寻找解决方法,为有效解决这种现象,现从力学的观点来具体阐述。

  • 标签: 力矩平衡 无铅器件 立碑
  • 简介:TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护(RTP)器件系列的最新成员RTP200R060SA器件,该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管、电容、集成电路、电阻和其他功率元器件损毁和失效所引起的热失控伤害。

  • 标签: 电路保护 元器件 低电阻 热保护 回流焊 TE
  • 简介:2003年11月14日的这次会议由国家信息化专家咨询委员会委员、赵小凡主持,参会代表有中国电子学会常务理事郭诚忠、信息技术专家徐如镜、中国信息协会常务副会长高新民、卫生部信息化工作领导小组办公室副主任高燕婕、北京大学遥感与GIS研究室教授李琦、国家科技图书文献中心主任袁海波、中国科技情报学会理事长刘昭东、北京大学图书馆管理中心副主任陈凌、国家广电总局数据广播中心副主任杨健雄、首都图书馆副馆长爱新觉罗·常林等共25人。

  • 标签: 政府信息公开 信息资源 教育信息 公益性服务 信息管理体制 政府行为
  • 简介:<正>AnalogDevices,Inc.全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,近日推出业界精度最高的隔离式Σ-Δ型调制器AD7403,适合直流/交流功率转换应用中的精密电流和电压测量。隔离式Σ-Δ型调制器AD7403可在78KSPS速率以及-40°C至+125°C温度范围内实现81-dB的信噪比和信纳比(SINAD)(最小值),比竞争器件高出11dB。较高的信纳比可实现更加精确的电流和电压测量,通过降低电机轴上的转矩波动,提高电机驱动的性能。此外,较高的信纳比

  • 标签: 电压测量 AD7403 ADI 隔离式 纳比 转矩波动