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11 个结果
  • 简介:介绍了我院针对分光计实验的实际情况,自行研制了CCD电子显示系统,解决了实验教学中的难题,收到了很好的教学效果。

  • 标签: 分光计 电子显示系统 教学效果
  • 简介:简要介绍了真空电子器件辐射原理和数值模拟方法,给出了粒子模拟方法的研究进展.讨论了真空电子太赫兹源器件的特点及其对数值模拟方法的要求.给出了高功率微波源和太赫兹源器件的数值模拟算例.提出了用于真空电子源器件模拟的PIC方法的未来技术发展,包括动量能量守恒的粒子模拟方法、精确的几何和物理建模、阴极发射模型、有耗介质的处理和基于全局优化的器件设计方法等.

  • 标签: 真空电子器件 高功率微波 太赫兹波 PIC方法
  • 简介:测试了在高能电子辐照和高工作电压共同作用下,星用高压电缆的静电放电信号。同时,利用蒙特卡罗方法分析了高能电子沉积位置,并利用有限元法分析了高工作电压下,高压电缆的内部电场分布及变化。

  • 标签: 内带电效应 静电放电 蒙特卡罗方法 有限元法
  • 简介:基于反射原理,研究由三块三平面组合的直角三面的成像特点和规律。通过作图,讨论和研究直角三面的成像作图规律。该讨论和研究对理解多平面组合成像规律及应用有一定指导意义,丰富了教学和实践活动。

  • 标签: 平面镜 三平面镜 实像 虚像
  • 简介:利用蒙特卡洛方法分析了不同束流密度0.8MeV电子辐照下介电材料导电性能的变化趋势,同时开展了0.8MeV电子辐照下聚酰亚胺(Kapton)材料导电性能实验研究.理论和实验结果表明,在0.8MeV电子辐照后,Kapton材料导电性能在不同吸收剂量率下变化较大,电导率最大可上升5个量级,电阻由1014Ω变为1012Ω,下降2个量级.

  • 标签: 介电材料 高能电子辐照 电导率 剂量率
  • 简介:为了将模拟结果应用于评价动态压载荷壳体的激光辐照效应,采用理论分析方法研究了模拟中的相似性问题,给出了飞行动态环境的模拟相似性原则、激光参数的模拟相似性原则和试件大小的模拟相似性原则.对飞行环境效应的模拟,要考虑壳壁气动加热和氧化效应;对光斑半径的模拟,若满足/πkt<r0≤0.5R条件,则壳壁最高温度近似与光斑半径无关,并且对爆裂破坏模式,光斑半径还要满足热裂纹失稳扩展条件;对壳体试件的模拟,采用近几何相似缩比(大小缩比而壁厚不变),缩比率在1/5~1时可以用非线性拟合表征损伤关系.

  • 标签: 激光应用 相似性模拟准则 内压载荷柱壳 飞行环境 光斑尺寸 缩比试件
  • 简介:假像是原子力显微(AFM)技术研究中的一个热点问题,本文首先分析了AFM实验中产生假像的常见原因及其可能产生的假像类型,然后以实验中得到的重复"豆芽形结构"、完全一致的重复圆环形貌结构和许多重复的三角形结构的AFM图像为例,分析了假像产生的原因,为AFM实验结果分析中假像的辨别处理提供了借鉴经验。

  • 标签: 原子力显微镜 假像 纳米技术
  • 简介:项目教学是以具体的生产工作任务为主线,由学生自主建构知识与技能,着力培养学生职业能力。在中职学校实施项目教学法,符合我国现阶段职业教育发展规律,有利于推动中职教育的发展。本文主要从项目教学法实施的几个阶段:确定目标、项目设计、项目实施、项目评价等着手,探索项目教学的具体应用。

  • 标签: 项目教学法 电子线路教学 职业教育
  • 简介:由中科院西安光学精密机械研究所研发的国内首台高速3D窥OCT影像系统成功问世。该设备使用自主研发的微型光纤探头,可深人心脏病患者血管栓塞处进行光学相干断层(OCT)扫描,获得栓塞处清晰的3D窥影像。利用该影像技术可帮助医生在心脏手术中对支架安放位置精确定位,并可帮助医生实现对病变血管形态及心脏支架置人状况进行离线直接观察,其成像速度及分辨率都远超现有的血管超声(IVUS)和心脏X光(DSA)技术,对于有效预防支架再狭窄和血栓支架的形成、实现心肌梗死的早期筛查和有效预防以及研究和评价心脏支架安全陛有革命性意义。

  • 标签: 影像系统 OCT 内窥 3D 心脏病患者 血管栓塞
  • 简介:基于自适应光学系统中变形与哈特曼波前传感器的位置关系,分析了导致两者空间失配的主要影响因素,并以45单元自适应光学系统为例,进行了空间匹配仿真分析,结果表明:若以拟合精度相对偏差10%作为判据,则要求变形与传感器相对旋转不大于4°,x和y方向的相对错位不大于2mm.

  • 标签: 自适应光学 匹配误差 变形镜 哈特曼波前传感器
  • 简介:测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现:ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体(晶粒)的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。

  • 标签: ZnO基压敏电阻 金属氧化物掺杂 缺陷 电子密度 电性能