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13 个结果
  • 简介:本文介绍用BEPC的同步做激发源,对所研制的平面晶体位置灵敏谱仪性能进行研究的结果。用LiF(200)晶体,测得TiKα的能量分辨率达14.2eV,好于质子激发的结果(15eV),能清楚地分开不锈钢中CrKβ与MnKα两峰,和可探测一气溶胶样品中Ti的绝对量达10^-9-10^-10g水平。这些数据将为位置灵敏谱仪用同步开展应用提供重要依据。

  • 标签: 同步光 激发源 PSS 平面晶体位置灵敏谱仪
  • 简介:在采用铍材作为慢化剂或反射层的热中子反应堆中,由于^235U裂变产物放出的高能Y光子会与^9Be发生(γ,n)反应,产生光激发缓发中子,即铍中子,会对反应堆的动态特性产生影响.本文选取经典的铍中子分组参数,采用系统程序relap5,研究了铍中子对研究堆瞬态特性的影响.研究表明,铍中子的存在导致反应堆剩余裂变功率增多和持续时间增加,从而提高了余热水平;铍中子的存在使得瞬态中核功率变化滞后,对反应堆安全有一定的影响.

  • 标签: 研究堆 铍反射层 光中子 瞬态
  • 简介:X射线干涉测量技术是以非常稳定的亚纳米量级的硅单晶的晶格作为基本长度单位,以建立纳米级长度基准,从而实现纳米级精度的测量、校验等功能。由于其在纳米测量范围内的特殊优越性,因而近年来该技术得到了迅速发展。该技术的前提是X射线干涉技术的实现。根据X射线干涉的特点,并考虑到X射线的吸收特性,用单晶硅制出了LLL型X射线干涉器件。在北京同步辐射实验室(BSRL)4W1A束线上选择17.5Kev能量的同步辐射进行了X射线干涉实验,在拍摄的底片上比较清楚地观察到了X射线干涉条纹。

  • 标签: 17.5Kev同步辐射光 干涉技术 X射线干涉测量技术
  • 简介:利用同步X透射形貌技术,研究了液封直拉(LEC)、水平布里支曼(HB)、垂直梯度凝固(VGF)三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体,VGF缺陷缺陷最低,HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平,讨论了位错分布差异的原因。

  • 标签: 位错 X光形貌 GAAS晶体 半导体 生长工艺 液封直拉
  • 简介:(CO+Cs)/Ru(101^-0)共吸附的体系中,CO分子由于受Cs原子强烈影响,分子轨道发生重新杂化组合。CO分子原来在清洁Ru(101^-0)表面上结合能位于7.5eV处相重叠的5σ和1π轨道对应谱峰分裂为两峰,结合能分别位于6.3和7.8eV处,其中6.3eV处的谱峰来自CO分子1π轨道的一支,它显示出该分子轨道沿衬底<0001>晶向的镜面反对称性。CO分子1π轨道的另一支和5σ轨道在结合能7.8eV处相重叠。

  • 标签: 同步辐射 CO Cs/Ru(101^-0)表面 共吸附 铯/钌 一氧化碳
  • 简介:利用北京同步辐射小角X散射实验站,我们对超临界流体的抗溶剂过程中,高分子的构象变化进行了初步的研究。实验表明,在不断加入抗溶剂的过程中,高分子链发生了从伸展的无规线团到球形的转变。

  • 标签: 抗溶剂过程 高分子链 尺寸 构象 超临界二氧化碳 聚苯乙烯