简介:摘 要:此前,公司钝化层使用的光刻胶 AZ6130为进口光刻胶,采购周期长且成本较高。为了缩短采购周期同时降低成本,特考虑使用国产光刻胶 RZJ-306B替代该层次的进口光刻胶。本文从颗粒、 Spin curve、留膜率、膜厚均匀性与稳定性、曝光工艺窗口、线宽( CD) &光刻胶形貌、缺陷、抗干法刻蚀能力及去胶能力等九个方面评估了国产光刻胶 RZJ-306B的各项性能,实验结果表明其单项工艺能力与原进口光刻胶 AZ6130相比可满足现有产品生产要求。同时,进一步实验表明,国产光刻胶 RZJ-306B可替代进口光刻胶 AZ6130应用于实际生产。钝化层光刻胶国产化使得该层光刻胶采购周期缩短了一半,生产成本降低了约 50%。
简介:Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性,器件和制程又可与SL工艺兼容,采用Si1-x-yGexCy及其Si1-x-yGexCy/Si结所制作出来的器件如异质结双极晶体管(HeterojunctionBipolarTransistor,HBT),其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平,而且在成本上低于GaAsHBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索,在总结大量数据的基础上,验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时,文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。
简介:摘要研究了光刻机曝光过程中,热效应引起焦平面发生漂移的原因,并对热效应过程进行分析,通过光照时间与冷却时间的关系对应焦平面漂移关系,及时进行焦平面补偿,以及对成像系统进行温度控制,可对焦平面漂移进行有效控制