简介：介绍了电磁激励Si微反射镜偏转的光开关的结构,工作原理和制作技术.光开关单元由单晶Si反射镜板、A1弹簧、A1格子、磁性材料、夹持电极、锁挡、矩形杠杆和外磁场组成.通过控制光开关单元的箝位电压、夹持电压和外磁场,可实现独立寻址的光开关阵列.器件制作使用了表面和体微机械工艺(如电镀、体湿法腐蚀和XeF2的深反应离子腐蚀等)工艺.这种器件可实现任一反射镜偏转角的光开关,最大偏转角可达90°.这种光开关是目前极力推崇的全光网络光开关.

简介：利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。

简介：<正>“Privacy”istranslatedasyinsiinChinese.Traditionally,intheChinesemind,yinsiisassociatedwithsomethingthatisclosedorunfair.Ifsomeoneissaidtohaveyinsi,meddlers(好事者)willbeattractedtopry(打探)intohisorheraffairs.Sopeoplealwaysstatethattheydon’thaveyinsi.

简介：TheinvestigationonopticalpropertiesofSi1-xGex/Sistrainedlayerstructureshasbeencarriedoutactivelyinrecentyears.Thephotoluminescencehasbe-comeabriskersubjectinthestudiesofitsvariousopticalproperties.Aresearchdevelop-menttophotoluminescencepropertiesofsomenewSi1-xGex/Sistrainedlayerstruc-turesisintroduced.

简介：Theoptimumparametersarecalculatedbythelargecross-sectiontheoryandmodecut-offequation.Theeffectonreversebiasvoltagesinanalysedbythedopingconcentrationinn^+-Si.Theissignificantbecausethereversebiasincreasessharplywhenthedopedconcentrationinn^+-Siislessthan1×10^20cm^-3.

简介：Theresidualelectricallyactivedefectsin(4×1012cm-2（30KeV）+5×1012cm-2（130KeV）)si-implantedLECundopedsi-GaAsactivatedbytwo-steprapidthermalannealing（RTA）LABELEDAS970℃（9S）+750℃（12S）havebeeninvestigatedwithdeepleveltransientspec-troscopy（DLTS）.TwoelectrontrapsET1(Ec-0.53eV,σn=2.3×10-16cm2)andET2（Ec-0.81eV,σn=9.7×10（-13）cm2）aredetected.Furthermore,thenoticeablevariationsoftrap’scon-centrationandenergylevelintheforbiddengapwiththedepthprofileofdefectsinducedbyionim-plantationandRTAprocesshavealsobeenobserved.The[Asi·VAs·AsGa]and[VAs·Asi·VGa·AsGa]areproposedtobethepossibleatomicconfigurationsofET1andET2,respectivelytoexplaintheirRTAbehaviors.

简介：摘要：单晶炉会在以氩气为主的惰性气体环境中进行原料加热，之后进行单晶硅的生产，所以单晶炉的稳定性，将会直接影响其生产质量。现阶段，单晶炉的工艺控制技术和自动化程度已经得到很大提升。本文探讨对单晶炉设计的优化手段，综合其结构特征进行分析，然后从不同角度讨论如何开展设计优化工作。希望通过研究可以改进单晶炉的设计，提升单晶炉设备的整体性能。

简介：ＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＰｏｒｏｕｓＳｉ①ＣＨＡＯＺｈａｎｙｕｎ，ＷＡＮＧＫａｉｙｕａｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉ...

简介：PitformationandsurfacemorphologicalevolutioninSi(001)homoepitaxyareinvestigatedbyusingscanningtunnelingmicroscopy.Anti-phaseboundaryisfoundtogiverisetoinitialgenerationofpitsboundbybunchedDBsteps.Theterracesbreakupandarereducedtoacriticalnucleussizewithpitformation.Duetoanisotropickinetics,adownhillbiasdiffusioncurrent,whichislargeralongthedimerrowsthroughthecentreareaoftheterracethanthroughtheareaclosetotheedge,leadstotheprevalenceofpitsboundby{101}facets.Subsequentannealingresultsinashapetransitionfrom{101}-facetedpitstomulti-facetedpits.

简介：利用Gaussian-94计算程序中的B3LYP方法,在6-311+G(2d)6d基组下,对Si5,Si5H3,Si5H6,Si5Li3和Si5Na3原子簇的几何结构进行优化和频率计算.结果表明,Si5原子簇中最稳定的具有D3h对称性的结构中,位于同一平面上的3个Si原子确实具有剩余的成键能力,可以与3个H,Li,Na原子和6个H原子形成稳定的化合物.研究还发现,虽然H,Li和Na都属同一主族,但它们与Si5原子簇中Si原子的键连方式却不同,而且它们的加入,对Si5原子簇的'三角双锥'结构也有不同的影响.

简介：ＣｕｒｉｅＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｆＡｍｏｒｐｈｏｕｓＦｅＳｉＢａｎｄＦｅＷＳｉＢＡｌｏｙｓＷａｎｇＬｉｎｇｌｉｎｇ，ＺｈａｏＬｉｈｕａ，ＨｕＷａｎｇｙｕ（王玲玲）（赵立华）（胡望宇））ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＨｕｎａｎＵｎ...

简介：研究Al-Mg-Si合金晶界组成相（Al-Mg2Si及Al-Mg2Si-Si）间的电化学行为和动态电化学耦合行为,提出Al-Mg-Si合金的晶间腐蚀机理。研究表明,晶界Si的电位比其边缘Al基体的正,在整个腐蚀过程中作为阴极导致其边缘Al基体的阳极溶解;晶界Mg2Si的电位比其边缘Al基体的负,在腐蚀初期作为阳极发生阳极溶解,然而由于Mg2Si中活性较高的元素Mg的优先溶解,不活泼元素Si的富集,致使Mg2Si电位正移,甚至与其边缘Al基体发生极性转换,导致其边缘Al基体的阳极溶解。当n（Mg）/n（Si）〈1.73时,随着腐蚀的进行,合金晶界同时会有Mg2Si析出相和Si粒子,腐蚀首先萌生于Mg2Si相和Si边缘的无沉淀带,而后,Si粒子一方面导致其边缘无沉淀带严重的阳极溶解,另一方面加速Mg2Si和晶界无沉淀带的极性转换,从而促使腐蚀沿晶界Si粒子及Mg2Si粒子边缘向无沉淀带发展。

简介：【摘要】 虽然目前生产硅单晶的工艺种类繁多，但大多数硅单晶的生长都需要在充有惰性气体的密闭炉室内进行。

简介：摘要本文综述了制造光伏电池和集成电路用单晶硅的特点，对直拉法生长单晶硅的基本原理及生产工艺进行论述，并且分析了直拉法单晶生长过程中的主要杂质及其来源。

简介：

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简介：近年来，随着X-光晶体结构解析技术的日益成熟，以及同步幅射光源的使用逐渐普遍，解析X-光晶体结构所需的时间已大幅缩短，加上此技术一般说来没有分子量的上限，因此研究物质的晶体结构越来越便利。所以单晶的培养越来越受到人们的关注。

简介：莫斯科钢与合金研究所利用机械一化学合成法成功合成一种特殊的准单晶物质，在工业领域有广泛应用前景。在这种物质中，铁、铜、铝三种原子的排列不像普通单晶那样具有相同的晶格，但仍具有严格的顺序，呈现出几何排列。以橡胶和聚合物为底基，辅以这种准单晶物质制成的复合材料具有金属和陶瓷的双重特性，像金刚石一样坚硬，摩擦系数小于金属，化学稳定性和耐摩性很高。

简介：摘要本文从埚转、等径功率、投料量等几个方面论述了直拉硅单晶中氧含量的控制方法，通过工艺调整，降低硅单晶的氧含量，改善晶体品质。