简介:针对ControlLogix控制系统在运行过程中出现的故障现象,从网络、硬件及软件应用中出现的故障,对故障原因进行分析并提出解决的方法,保证控制系统稳定运行。
简介:以AgNO3为原料,抗坏血酸为还原剂,采用快速加料的方式制备高分散性超细银粉,用扫描电镜、ζ电位分析仪、紫外-可见光谱分析仪等对银粉进行表征,研究硝酸银溶液性质如硝酸银溶液浓度c(AgNO3)、初始pH值,以及表面活性剂的加入对超细银粉形貌与粒径的影响。结果表明,当c(AgNO3)>0.30mol/L时,银粉表面粗糙、形貌变得不规则且分散性变差。银粉粒度随硝酸银溶液pH值增大而减小,但pH增大到7.0时银粉团聚现象较严重。抗坏血酸分子在还原过程中具有自分散作用,在c(AgNO3)为0.2mol/L、初始pH=5.0的条件下,不添加任何表面活性剂即可获得分散性好、表面光滑、形貌规则的球形银粉。在AgNO3溶液中加入分散剂PVP可适当减小银粉粒径,而加入丁二酸、吐温80、PEG、PAA和明胶等分散剂对银粉形貌的改善不大。
简介:采用反应磁控溅射法分别在单晶硅(100)和不锈钢基底上沉积不同W含量的Zr1-xWxN(x=0.17,0.28,0.36,0.44,0.49)复合膜,利用扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪、纳米压痕仪和摩擦磨损试验机研究该复合薄膜的微结构、力学性能及摩擦性能,并探讨ZrWN复合膜的摩擦机理。结果表明:当x≤0.28时,复合膜呈fcc(Zr,W)N结构;当x为0.36~0.44时,复合膜呈fcc(Zr,W)N和fccW2N结构;当x=0.49时复合膜为fcc(Zr,W)N、fccW2N结构和β-W单质。Zr1-xWxN复合膜的硬度随x增加先增大后减小,当x=0.44时达到最大值,为36.0GPa。随x增加,Zr1-xWxN复合膜的室温摩擦因数先减小后增大,摩擦表面生成的氧化物WO3对于降低摩擦因数起重要作用。
简介:以硝酸铟为原料,用氨水做沉淀剂,采用水解沉淀-水热法制备In2O3的前驱体In(OH)3,用扫描电镜、X射线衍射仪及激光粒度分析仪对产物的结构、形貌和粒度进行表征。结果表明,水解沉淀产物为立方相In(OH)3,呈短棒状团聚体。水热处理过程中,产物的晶型、形貌和粒度受Ostwald熟化机制和相转化机制的影响。当水热温度低于280℃时,首先发生Ostwald熟化机制,In(OH)3颗粒形貌由短棒状转变为长方体,而物相不发生变化。当水热温度高于280℃时,除发生Ostwald熟化机制外,还存在相转化机制,产物形貌先由棒状转变为长方体,接着转变为多面体,且物相由立方相的In(OH),转变为斜方相的InOOH。
简介:介绍了DeviceNet网络在酒钢选矿厂综合自动化控制系统的设计结构、应用现状以及硬件和软件的配置,结合DeviceNet网络现场实际运行和应用情况,对DeviceNet网络出现的故障进行了深入的分析,并总结了快速排除和解决故障的思路和方法。
简介:采用真空热压烧结法制备SiC颗粒体积分数分别为20%、25%*1130%的SiCp/Al-30Si复合材料。利用扫描电镜对复合材料的微观组织进行表征,并检测其力学性能及物理性能,运用Turner、Kerner理论模型对材料的热膨胀系数进行计算,分析碳化硅体积分数对SiCp/Al-30Si复合材料组织及性能的影响。研究结果表明:随SiC含量的增加,复合材料的组织中会出现SiC颗粒的团聚,使材料的致密度及抗拉强度下降,在50-100℃之间的热膨胀系数降低,其平均值与Kerner模型计算值很接近。