简介：伏安法测二极管特性,可根据测试电路的正确选择,减小系统误差,提高测量的准确度。

简介：

简介：摘要：电子产品已经融入到现代人们生产生活中，而电源是电子产品正常工作必要保证。消费类电子类电子产品如手机、相机、智能手表等产品都设计了充电接口，其设备充电接口和电源适配器都是标准的快速接插件，使用时也不存在手工接线的情况，当然也不会出现电源反接的情况。但是在工业控制、自动化技术应用时，有很多产品如PLC、触摸屏等工业控制设备常常需要安装接线的，在接线过程中，由于操作人员不够认真细致，容易出现直流电源接反。

简介：与商用硅基或磷化镓光电二极管相比,InGaN基可见光光电二极管在窄带通可见光应用领域表现出明显优势。到目前为止,InGaN/GaNMQWs为有源层结构和InGaN体基结构光电二极管都表现出暗电流较大,外量子效率较低,探测带边接近紫外范围等缺点。虽然通过器件工艺和结构设计,可以提升器件的性能,但是InGaN材料外延技术方面的突破才是器件提升性能的根本。

简介：摘要：发光二极管是一种照明器件，具有单项导向性、电压电流小、节能环保、颜色多、价格低、适用性强、响应时间快等诸多优点。利用发光二极管开展物理实验教学，对于降低实验成本，提高实验安全性以及趣味性都有很大优势，这将非常有利于物理实验教学的创新实践。本文以实践教学经验为基础，提出三个巧用发光二极管的物理实验案例，以期可起到抛砖引玉之作用。

简介：本文从晶体管电容料位指示仪的电路入手,分析电路各组成部分及工作原理,并阐述了续流二极管在此电路中的作用

简介：本文针对2014年高考理综全国卷Ⅱ第21题所引发的涉及理想二极管交流电路有效值问题进行再探讨,力求弄清楚问题的物理本质,以期使大家对此问题有进一步明确的认识.

简介：【摘 要】在电子技术应用领域中，最常用的电子元器件之一是晶体三极管，晶体三极管的使用亦是中职电子专业理论学习的基础入门课程。学生学习掌握情况，直接影响该门学科后续内容的教与学，因此晶体三极管电流放大作用、三极管的特性及三极管三种工作状态判别等相关知识的教与学深值探究。本文从析教材、备学生入手，做到知己知彼；以趣入课、“娱”取“渔”方法抛问题，激发学生兴趣；再以举实例、巧铺开促进师生互动交流，引导学生深入思考；紧接就是清疑惑、悟实质让学生知其然且知其所以然；最后不忘汇所学、活所用以达到教学目的。

简介：1947年12月23日，37岁的美国物理学家肖克莱和他的合作者在著名的贝尔实验室向人们展示了第一个半导体电子增幅器，即最初的晶体管。晶体管的发明成为人类微电子革命的先声。

简介：晶体管的工作状态分为放大、饱合与截止三个区,它们应用在线性放大器中或脉冲数字电路中各自具有不同的特点。本文的目的,是以NPN型管所组成的共射电路为例,来分析放大状态静态工作点的设置与非线性失真的关系,并从非平衡少数截流子在基区的分布入手来阐明开关状态的特点。一、线性放大器的失真与晶体管的开关作用晶体营运用在线性放大器中工作点的设置必须合理,如果工作点偏高可能引起饱合失真,工作点偏低又可能引起截止失真。但是,工作点如果较高而信号幅度却很小,则并不一

简介：本文通过研究晶体管、场效应管电路符号,揭示了晶体管、场效应管电路符号表示的意义.并引导学生应用这些结论:一方面,准确识别给定的电路符号对应的晶体管、场效应管的种类;另一方面,准确画出给定类型的晶体管、场效应管对应的电路符号.期望本文对学习涉及晶体管、场效应管有关理论知识的学生有所帮助.

简介：三极管单管放大电路实验是电子电路教学的重要组成部分,做好该实验不仅可以巩固理论知识,而且可以提高实践技能。本文介绍了三极管单管放大电路实验电路的基本组成、分析了此实验中经常出现的问题,提出了完成此实验的思路,目的是帮助学生更快更好地完成实验。

简介：本文就晶体管收音机电路中的一些问题在理论上作出进一步的解释,并就组织实验中需注意的事项提出自己的看法。

简介：当前,我国的一些家电用户中,有的还留存有八十年代初中期的晶体管——电子管混合式大中屏黑白电视机。这些混合式黑白机大部分在使用中因电子管电路部分出现故障,由于此种机型属淘汰型,且国内市场已无家电用电子管出售,一般家电修理部门拒修而使其长时间闲置,一般家电修理部门拒倏则使其长时间闲置。其实,这些闲置的黑白机因实际使用时间不

简介：在电子行业，三极管的应用非常广泛，对于三极管的检测就非常关键。从内部雏构及等效分析带阻尼的行输出三极管、复合管、光敏三极管等特殊三极管的检测。

简介：分析晶体三极管三种组态电路H混合参数，用不同方法导出共集、共基放大电路H参数和更精确的共集电极及共基电极晶体三极管H参数与其共发射极组态H参数的关系，说明不同组态电路有相同的电路形式。

简介：三极管的损坏,主要是指其PN结的损坏.按照三极管工作状态的不同,造成三极管损坏的具体原因是:工作于正向偏置的PN结,一般为过流损坏,不会发生击穿;而工作于反向偏置的PN结,当反偏电压过高时,将会使PN结因过压而击穿.

简介：图（1）是具有比较放大器的串联型晶体管稳压电路,很多电子专业书刊上都这样定性分析其工作原理:假设负载电流I0减小或输入电压Ui增大,都要引起输出电压U0增大,则R2两端取样电压也增大,即T2管基极电位UB2增高,由于T2的发射极接有基准电压U2,使UE2基本不变,

简介：采用脉冲激光沉积法，以元素比例为In：Ga：Zn=1：1：1的InGaZnO靶材作为实验靶材，在1000℃烧结后P型硅上成功制备了非晶InGaZnO薄膜。并用真空蒸镀的方法蒸镀100nm，宽长比为5：1的Ni电极作为源漏电极。通过对比退火前及300℃退火30min后TFT的电学性质可以看出，经过退火处理后，器件的各种参数均得到了提高：阈值电压为5．88V，开关比提高到10^5，且关态电流为pA量级，S仅为1．1V／decade，且器件的场效应迁移率变为原来的60倍。因此退火处理可以明显的提高InGaZnO—TFT器件的性能。

简介：把时域有限差分方法用于二维正方介质柱组成光子晶体传输函数理论研究,计算了若干情况下二维光子晶体的透射率即光传输函数随频率的变化.计算结果表明:对于一定的入射方向,某些频率的光不能在光子晶体中传播即出现所谓的禁带,禁带的宽度、频率范围与晶格结构、柱体截面大小及放置方位有关.