简介：

简介：介绍了具有广阔应用前景的平板显示器件——场致发射显示板及其优良的显示性能。三极结构具有低压调制的优点，而后栅极场致发射显示板更具有结构简单、发射均匀性好的优势。采用丝网印刷工艺成功地制作了后栅极场致发射显示板，利用碳纳米管作为阴极材料，并对介质层厚度对器件的影响、老炼、发光均匀性等问题进行了探讨。

简介：电力电子器件是构成电子电源设备的基础，是从事uPs供电系统的设计、研发、生产和应用的电源技术工作者应当熟悉的内容。尤其是绝缘栅双极型晶体管（IGBT）现已广泛应用于电源设备中。本刊从今年1月份起以“IGBT的原理与应用”为题开展技术讲座，以利广大读者选好用好这种器件。

简介：Intersil公司日前宣布推出高频6A吸入电流同步MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A。这些新器件有助于为系统安全提供更高的效率、灵活性和更多的保护功能。

简介：日前，德州仪器（TI）宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管（IGBT）与碳化硅（SiC）FET的35v单通道输出级电源管理栅极驱动器。T1支持拆分输出的最新UCC27531与UCC27532输出级栅极驱动器可为隔离式电源设计提供最高效率的输出驱动功能、最低的传播延迟以及更高的系统保护力，以充分满足太阳能DC／AC逆变器、不问断电源供应以及电动汽车充电等应用需求。

简介：<正>美国佐治亚理工学院(GeorgiaInstituteofTechnology)宣布,开发出了特性几乎不会劣化的有机FET。可在大气且低温的环境中制造,有望为柔性有机电子,比如有机类太阳能电池、RFID、有机EL的实用化做出巨大贡献。进行开发的是佐治亚理工学院电子与计算机工程系教授BernardKippelen

简介：德州仪器（TI）推出两款新型器件，有助于减小电机驱动应用的尺寸和重量。当两者结合使用时，DRV832x无刷直流（BLDC）栅极驱动器和CSD88584／99NexFET电源模块只需占用511mm。的电路板空间，仅为其他同类解决方案的一半。

简介：本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路（IC）。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能，然后介绍电平下移功能。之后，还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路，它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的短路保护。本文中的IC最多可以驱动带有几个外部部件的600A／600V等级IGBT。本电路不仅适用于工业逆变器，而且适用于混合动力电动汽车。

简介：为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说，它受益于新型集成技术，还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑，并示出效率结果，以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较，以表明STripFET^TM的性能优点。此外，还给出许多特殊功能。