简介:基于第一性原理,计算了MgSiP2的能带结构,结果显示压强减小了能带带隙值,部分电子有效质量随着压强增大而减小。费米能级附近电子态密度计算结果显示:随着压强的增大,价带顶电子态密度的斜率逐渐减小,而导带底电子态密度的斜率逐渐增加。结合半经典玻耳兹曼理论,分别计算了p型和《型MgSiP2的电导率与弛豫时间的比值、赛贝克系数以及功率因子与弛豫时间的比值。结果发现:压强所致部分电子有效质量的减小,提高了p型和.型MgSiP2的电导率,但在一定程度上降低了MgSiP2的赛贝克系数。在压强作用下,相对于n型MgSiP2,,型MgSiP2的电导率增加幅度更大,补偿了压强所致乡型MgSiP2赛贝克系数的降低,提高了型MgSiP2的功率因子,使其大于n型MgSiP2的对应值。计算结果表明,通过增大压强可以提高p型MgSiP2的热电性能,为实验制备具有良好热电性能MgSiP2提供了指导方案。
简介:通过Cu纳米颗粒掺杂制备了Li[(Ni0.6Co0.2Mn0.2)1-xCux]O2三元正极材料,并通过调节Cu的掺杂量,讨论了Cu的掺入对Li[(Ni0.6Co0.2Mn0.2)1-xCux]O2三元正极材料晶体结构、表面形貌、电化学性能和循环性能等一系列性能的影响,铜掺杂量为x=0.01时,在0.2C倍率下的首次放电比容量达到了219.1mAh/g,经过50次充放电循环之后,剩余比容量为115.4mAh/g。最终结果为Li[(Ni0.6Co0.2Mn0.2)1-xCux]O2中Cu的掺入量为x=0.01时,所得正极材料的电化学性能和循环性能最为优异。