简介：桐庐窄溪工艺电镀厂位于风光秀丽的富春江畔，地处320国道的中心地段和杭干高速的咽喉之处，水陆交通极为便利，是全县电镀行业队伍中历史悠久，规模之大，技术含量之高的一家外贸生产厂家。

简介：摘要通过对电镀行业火灾事故灭火救援工作总结，分析了电镀行业火灾事故特点，提出了具体扑救处置对策。

简介：摘要本文根据具体实验入手，针对电镀重金属废水的处理展开了试验研究，通过详细阐述了试验的方法，并对试验所得结果作相关分析讨论，实验证明，该处理方法能有效处理重金属废水，使得处理后的废水达到排放标准，以为有关方面提供有益的参考借鉴。

简介：摘要文章以电镀生产废水为实验研究对象，对废水中CN-、Cr6＋等离子的去除方法进行探索，并对实验结果进行了分析。事实表明臭氧破氰法和化学还原法能够有效降低危害物的浓度，使得处理后的废水出水水质达到排放标准。

简介：目的识别、分析某新建年加工高附加值的电镀铝铜铸件、五金件6000t（150000m^2）项目职业病危害因素并进行控制效果评价。方法采用现场调查法、检查表法、职业健康检查等方法进行评价。结果前处理线、吊镀锌自动线、镀镍铬自动线及喷漆岗位、污水处理线的盐酸、硫酸、氢氧化钠、铬酸盐、硫酸镍、苯、甲苯、二甲苯浓度分别为〈0．15、〈0．15、〈O．23、〈O．05、〈O．014、〈0．97、〈0．97、〈0．99mg／m3，均符合国家职业接触限值标准，且均属于0级作业（相对无害作业）；噪声分别为78．1-78．2、72．4-72．6、77．5-77．6、75．2-75．2dB（A），属于0级作业（安全作业）。结论该项目属于职业病危害严重建设项目；总体布局、工作场所职业病危害、辅助用室及应急救援等均符合基本卫生学要求；职业病危害控制措施基本有效。

简介：摘要：按照国家发改委印发的《“十四五”循环经济发展规划》要求，电镀行业仍需继续加强清洁生产技术创新，推进绿色低碳发展。本文以皖北某地区放入M电镀厂为例，阐述当期生产现状暴露出的潜在发展问题并基于现有的清洁生产新技术提出推进未来降本工作的一些建议。

简介：摘要为了尽量的让地球水系统免受污染，对电镀厂房生产污水处理方法研究势在必行，这是提高水资源利用率、降低水污染的重要举措。本文从电镀厂房生产污水的影响分析，简单的提出了几点处理意见，以供参考。

简介：目的对某有氰电镀厂电镀银生产过程中职业病危害因素进行识别与分析,确定职业病危害因素的关键控制岗位与控制点,为制定与之相适应的合理、有效职业病防治措施提供依据。方法采样现场调查法、工程分析法、检测检验法等相结合的方法进行职业病危害识别与分析。结果该有氰电镀厂生产过程中存在粉尘（絮凝剂、沉淀剂、银等）、化学性毒物（氰化物、铬及其化合物、苯、甲苯、二甲苯、硫酸、盐酸、氢氧化钠、氮氧化物等）、物理因素（高温、噪声）等职业病危害因素。工作场所空气中粉尘、化学性毒物浓度均符合国家职业接触限值的要求,噪声、高温等也符合国家职业卫生要求。但抛光平台、污水处理配药间粉尘浓度分别达到8.3mg/m3、9.0mg/m3,剥漆间甲苯浓度达到55mg/m3。结论该有氰电镀厂存在的职业病危害因素较多,化学性毒物较复杂,某些岗位职业病危害因素存在超标的可能,现场需进行治理。

简介：摘要；电镀产业作为制造业中非常重要的一部分，对整个制造业的发展与进步发挥着不可小觑的重要推动作用。近些年，在经济高速发展的背景下，市场对电镀产品的需求量不断增加。各个地区开始大力建设电镀厂房。然而在实际设计电镀厂房结构时，很容易忽视厂房的外观设计和环境因素。为此一定要加强对电镀厂房结构设计的优化。笔者针对电镀厂房结构设计的基本原则进行了探析，并提出了优化电镀厂房结构设计的有效策略，希望本次研究对电镀厂房结构设计水平的提高有所帮助。

简介：摘要以广东省江门市某电镀厂场地为例，通过对土壤进行全面取样调查，并结合土壤重金属污染修复技术针对性的提出有效的修复方案。

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简介：在临海头门港经济开发区，聚集了临海近一半的电镀企业，而电镀废水若处理不到位，将对环境带来极大压力。前不久，位于头门港经济开犮区的主要几家电镀企业负责人组队赴安徽、江苏学习“取经”，为即将运行的电镀废集中处理项目筹备规划。临海市环保局头门港分局局长杨金国介绍，２０１７年８月份，临海环保部门根据中央环保督察组的信访件情况反馈，排摸出１８家电镀企业和９８家非电疲金属表面处理行业企业。

简介：摘要：本文针对电镀废水处理厂废水池、储药池、加药间及脱水间等地面防腐出现的问题进行研究分析，有针对性地提出合理的防腐做法，减小环境泄漏风险。

简介：本文介绍了以镍钴锰三元合金代替镍钴二元合金制作电镀扩孔器的过程及工艺改进的关键点、镍钴锰三元合金镀层与镍钴二元合金镀层性能的比较及工艺改进后产品的使用效果。

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简介：SY509-3-127[篇名]Characterizationofspontaneouslyformedcerium-basedconversioncoatingsonaluminum；SY509-3-128[篇名]Effectof2.2-dipyridineonborate-bufferedelectrolesscopperdeposition……

简介：摘要：碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，具有良好的热导性、宽带隙、大击穿电场等优良特性，被广泛应用于高温、高频、大功率等电子器件上。但是由于碳化硅具有很高的硬度和化学稳定性，Si-C键合能较大导致湿法刻蚀无法达到要求，因此针对深孔或高台阶刻蚀多采用感应耦合等离子体（ICP）对SiC进行刻蚀，目前研究人员系统研究了ICP刻蚀条件、气体组成等各种工艺条件对SiC刻蚀的影响；其中镍作为刻蚀掩膜层被广泛应用在刻蚀SiC中，因此镍的耐刻蚀性很重要，在一定程度上决定了刻蚀过程中的SiC/Ni的选择比（SiC刻蚀量与Ni刻蚀量的比值），在同等刻蚀条件下，镍消耗少，SiC/Ni的选择比就高，则所需镍层就薄，从而减少了工艺时间，提高了工艺效率。