简介：本文利用第一性原理赝势平面波方法计算分析了不同浓度稀土Y掺杂CdS的光电性质。计算结果表明：不同浓度的稀土Y掺杂后,CdS的晶体结构发生了改变,晶格常数及晶胞体积随掺杂浓度的增加而增大,能带明显增多、变密,价带和导带均明显向下移动,费米能级进入导带中,导电类型变为n型的直接带隙半导体且带隙有所展宽。随着稀土Y浓度的增加,CdS的静态介电常数、反射率峰值及能量损失函数峰值明显减小,吸收系数峰值明显增大。以上结果可为充分开发和利用稀土掺杂CdS材料调制其光电性质的研究提供理论依据。
不同浓度Y掺杂CdS光电性质的第一性原理研究
