简介：本文分析了双组份液体环氧涂料在钢管内涂层过程中环境温度对涂覆质量的影响；摸索出了在自然环境温度下控制液体环氧钢管内涂层质量的方法；为小管径防腐内涂层提高涂覆质量积累了经验。

简介：本文分析了国内钢管内防腐采用液态材料喷涂技术的发展历史及现状，针对现有技术的不足介绍了全新的RIM喷涂技术，并对该技术引发的相关原料、工艺、应用等问题进行了初步探讨，对钢管内防腐工艺技术的发展进行了有益的探讨。

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简介：本文简要讨论用自发成核(SPONTANEOUSNUCLEATION)的办法生长大单晶金刚石的问题。全文共分三部分：1、回顾；2、技术关键；3、展望。

简介：

简介：本文用微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD）在单晶硅衬底上制备多晶金刚石薄膜，反应气体为CH4和H2。利用扫描电镜（SEM）和Raman光谱研究了CH4流量和反应时间对多晶金刚石薄膜形貌和碳结构的影响。结果表明：随着CH4流量的增加，金刚石的成核密度增加，并出现二次形核，金刚石颗粒从单晶逐渐转变为多晶结构。多晶金刚石薄膜的生长过程为：生长初期在单晶硅衬底上形成非晶碳层，金刚石在非晶碳层上成核长大，并伴随着二次成核，最终形成多晶金刚石膜。

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简介：本文分析了无缝钢管内石墨的来源及特殊性，试验、验了无缝管内壁粘的石墨是影响涂层粘力的主要原因之一，为无缝管内涂层提供了经验。

简介：天津市通业防腐技术开发有限责任公司（022-2397428913502155199）将下述2项专利成果以转让或合作方式，与有意合作者共谋发展。钢管内衬不锈钢复合技术采用爆炸（无炸药）撑胀工艺，使不锈钢衬层紧紧贴附于钢管内壁，形成整体性良好、耐腐蚀、不结垢、

简介：本文详细地讨论了金刚石行业关心的金刚石单晶生产的产量问题。

简介：建立了用于模拟立方晶系合金三维枝晶生长的改进元胞自动机模型。该模型将枝晶尖端生长速率、界面曲率和界面能各向异性的二维方程扩展到三维直角坐标系，从而能够描述三维枝晶生长形貌演化。应用本模型模拟在确定温度梯度和抽拉速度条件下三维柱状晶生长过程的一次臂间距调整机制和不同择优取向柱状晶之间的竞争生长。使用NH4Cl-H2O透明合金进行凝固实验，模拟结果和实验结果吻合较好。

简介：某变换气分离器设备上小口径厚壁接管内壁需堆焊一层5mm厚的OCr18Ni10Ti复合材料作耐蚀层，由于接管直径小，一般的焊接工艺不能满足产品的技术要求。本文采用自制工装和工艺环引弧，并选择焊条电弧焊进行多层堆焊，焊后堆焊层性能完全达到技术要求，为公司生产同类设备的堆焊技术提供了可靠的参考依据。

简介：本文结合参与西气东输管道涂装生产实践，分析了内涂装与外涂装先后顺序的利弊。就环境条件对内涂装的影响、内涂装的生产质量控制、内涂料的消耗发表了看法；并介绍了对三层结构材料问题、熔结环氧层的厚度问题、预留段问题的认识，以及涂装控制的一点体会。

简介：前言美国宇航局在6年前宣布停止执行航天飞机项目,标志着航天飞机时代的结束。但是,航天事业并没有因为这个著名项目的结束而结束,人类探索宇宙的梦想,一直都在持续。国际空间站一直还在太空飞行。只是不幸的是,曾经困扰航天飞机的航天故障,也仍然在影响着当代的宇宙飞行。2017年7月我国'长征5号'遥二火箭发射升空出现的故障,再次提醒人们,航天飞行器的质量管控还存在认识误区,需要我们更加努力地去探求。不容否认,航天飞机的高成本

简介：本文紧密结合工厂的生产实际，提出了钢管内喷涂和内喷砂设备工艺参数的设计问题，并根据现有设备存在的问题提出了新的控制模式，对此类设备的技术改造提供了新的思路。

简介：采用计时电流方法和对恒电位电解得到的沉积产物进行SEM观察，研究稀溶液中铅在铜电极上的成核和生长过程。根据电沉积条件不同，铅的成核分为连续成核和瞬时成核两种形式。随着溶液中Pb(II)浓度和电沉积时超电势的增加，成核形式从连续成核转变为瞬时成核。无论是哪种成核形式，在恒电位电解的成核和早期生长阶段，生成的铅颗粒都是蛛网状的。根据蛛网状颗粒的形状和导致它们生成的电沉积条件，这些颗粒属于海绵状颗粒。对连续成核和瞬时成核条件下的铅沉积产物的形貌观察表明，存在两种成核极限。

简介：本文论述了采用温度梯度法在人造金刚石生长中的添加N、B杂质元素对生长温度的影响。

简介：概述了内涂层技术的发展现状和内涂敷作业的基本工艺流程，详细论述了大口径钢管内涂层涂敷设备的设计，应用结果表明全套国产化钢管内涂层涂敷作业线涂敷的防腐层，完全能达到内涂层技术规范要求。

简介：建立一种有效修正相场模型来模拟小平面枝晶生长形貌。通过该模型分别研究网格大小、各向异性值、过饱和度及不同重对称性对小平面枝晶生长形貌的影响。结果表明,随着时间的推移,晶核生长为六重对称性的小平面形貌。当网格尺寸大于640×640时,小平面形貌不受模拟网格大小的影响。随着各向异性值的增加,小平面枝晶的尖端速度增大到一个饱和值后再逐渐降小。随着过饱和度的增加,晶核从一个圆形演化为发达的小平面枝晶形貌。根据Wulff理论和对应的小平面对称性模拟形貌图,证明所提出的模型是有效的,并能够拓展到任意重对称性的晶核生长的模拟。