简介：利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量（totalionizingdose,TID）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层（shallowtrenchisolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

简介：从对电子衰变的实验测量和500Mev中子和质子弹性散射,得到了电荷守恒的微小破坏,并简要地评述了电荷守恒定律所遇到的破坏及认识。

简介：各地中考试题经常会出现一些电学“陷阱题”，这类题目考查的知识难度虽不大，但由于题目提供的信息中往往暗藏“陷阱”，如果我们基础知识掌握不牢或粗心大意，便会误入这些“陷阱”，造成解题的失误．

简介：用面积分的方法代替传统的对称性分析方法,求解了点电荷对几种特殊形状平面的电通量问题,给出了普适的表达式。基于这些解析表达式,我们讨论了如下几点：点电荷相对平面处于几个特殊位置时的电通量;点电荷对无限大平面的电通量;点电荷处于平面上的极限情况下的电通量。这些重要结论将进一步明晰与丰富电通量问题的教学研究内容。

简介：提出并建立了基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,通过对在轨暗场测试采集到的任一幅图进行计算,统计热像素个数,计算出基于单个热像素的CCD单次电荷转移效率,最后计算求出N个电荷转移效率的均值.研究结果表明：CCD未经辐照时的电荷转移效率为0.999999,在轨受空间辐射后,电荷转移效率降低到0.999958.

简介：采用理论模拟和IVA(inductivevoltageadder)产生的脉冲X射线,研究了PIN探测器输出电荷随脉冲辐射强度的变化关系.结果表明,当入射脉冲辐射注量是PIN探测器最大线性电流对应注量的16.2倍时,PIN探测器输出电荷仍然与脉冲辐射强度呈线性变化,偏离线性小于5％.

简介：若无限长均匀带电直导线（线电荷）与接地平板系统的电场是二维静电场,当求解区域可视为为多边形时,则可应用S-C映射法和电像法为统一模型,求解出线电荷在求解区域所激发的电势。

简介：根据电荷转移效率的测试原理,基于宇宙射线高能粒子入射对CCD图像的影响,提出了一种基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法,对高能粒子入射产生的12条瞬时亮线进行了计算分析,获得了一致性较好的CCD电荷转移效率.该方法可实时评价电荷耦合器件的在轨性能,对预测CCD成像性能退化情况和使用寿命都具有重要意义.

简介：提出了一个基于约瑟夫森电荷量子比特实现未知三粒子的GHZ态的方案。在这方案中,三对两粒子纠缠态作为量子通道。此外,不需要bell测量。以目前的技术,在该方案中所用到的设备都可以实现。

简介：理论研究发现，在薄型半导体探测器前添加一定厚度的杂散电子过滤片，可以有效过滤探测系统中散射电子，准确测定探测器对7射线诱发电子的电荷收集效率。以电荷收集效率为100％的Si—PIN探测器作为该测量方法理论模拟和实验校验的基准，建立了化学气相沉积（chemicalvapordeposition，CVD）金刚石薄膜探测器对γ射线响应时电荷收集效率的测量方法和系统。研究结果表明：所研制的CVD金刚石薄膜探测器，在600V饱和偏压下，电荷收集效率在常态时为55％，在“priming”状态时可达69％。

简介：数列这一块知识是比较古老的内容，很多数学前辈对它的研究很深，所以以前的高考当中数列既是难点也是热点，甚至是压轴题。现在新课标对这一模块知识的要求在难度上有所降低，但是作为高考的一个重要知识，它在知识的广度上又与许多新的知识点交汇在一起，因此在横向上不断拓展，