简介：基于现代用户对于设备间数据传输需求逐渐提升，东芝EXCERIAPRO^TMSD存储卡N502将数据读取速度升级至270MB／S，完成1000张照片传输时长仅需约26．38秒，在性能与速度上均实现了标志性突破。

简介：采用新颖的碳热还原和氮化前驱体法制备Ti（C，N）晶须，通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对样品表征分析，结果表明，在1250℃条件下，产物主要相成分是Ti（C，N）晶须，含有少量的Ni和TiN成分，晶须直径为100～200nm，反应温度低于1250℃时，钛的氧化物还原不充分，而过高的温度也不能促进Ti（C，N）纳米晶须的形成。

简介：Si_3N_4-Si_2N_2Ocomposites被液相sintering(LPS)与非结晶的缩放nano的氮化矽粉末制作。Si_2N_2O阶段被in-situreaction2Si_3N_4(s)+1.5O_2(g)=3Si_2N_2O+N_2(g)产生直到在体积的60percent的Si_2N_2O阶段的内容在1650t的sintering温度被获得并且当sintering温度增加了或减少时，减少了，显示反应是可逆的。集体损失，相对密度和平均谷物尺寸与增加sintering温度增加了。当sintering温度在1700degC下面时，Theaverage谷物尺寸是不到500nm。Thesintering过程包含复杂结晶化和阶段转变：非结晶的氮化矽->equiaxialalpha-Si_3N_4->equiaxial->Si_3N_4->杆--相似Si_2N_2O->像针的beta-Si_3N_4。小回合--塑造的beta-Si_3N_4粒子在Si_2N_2O谷物被骗诱，界定差错的高密度位于在1650degC的sintering温度的Si_2N_2O谷物的中间。坚韧在1600degCto7.2MPa从3.5Mpa中心点m~(1/2)增加了在1800degC的中心点m~(1/2)。坚硬在1600degC象21.5GPa(Vickers)一样高。

简介：采用反应射频磁控溅射方法，在玻璃基底上成功制备出了氮化铜（Cu3N）薄膜，并研究了溅射参数对Cu3N薄膜的结构和性能的影响，结果显示，随着溅射功率和氮气分压的增加，氮化铜薄膜的择优取向由（111）方向向（100）方向改变。随着基底温度从70℃增加到200℃，薄膜从Cu3N相变为cu相。紫外可见光谱、四探针电阻仪等测试表明，当溅射功率从80W逐渐增加到120W时，薄膜的光学能隙从1．85eV减小到1．41eV，电阻率从1．45×10^2Ω·cm增加到2．99×10^3Ω·cm。

简介：Si3N4/TiCnanocompositeceramicshavebeenfabricatedbyhotpressingtechniquewithAl2O3andY2O3asadditives.TheresultsshowedthatwelldispersedcompositepowderwascarriedoutbyaddingdispersantandadjustingpHvaluesofsuspensions.RemarkableincreaseinflexuralstrengthatroomtemperatureswasobtainedbyaddingnanoparticlesinSi3N4matrixwith10%(wtpct)ofnano-Si3N4and15%ofnano-TiC.Theflexuralstrength,fracturetoughnessandhardnesswere1025MPa,7.5MPa·1/2and15.6GPa,respectively.Themicrostructuresofmaterialswereanalyzedbyscanningelectronmicroscopy(SEM)andtransmissionelectronmicroscopy(TEM),whichindicatedthatTiCnanoparticlesdistributeinthematrixandatthegrainboundaries.Accordingtothefractureform,lowcontentsofnanoparticlescouldrefinematrixgrainsandleadtothecrackdeflectionaswellascrackpinning.Themultiplexmicrostructurewasformedbymixingnano-Si3N4particles.Thecracktrajectoriesexhibitedcrackdeflection,rod-likegrainbridgingandpull-out.

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简介：作为一款诺基亚智能＋长于拍摄的手机。诺基亚N73可以算得上小巧，身板要比起Nseries系列前代机型N70“苗条”一些。同N71、N93一样，在中国内地上市的N73依然保留了3G版本的前置副摄像头，不过内地版N73从硬件上去掉了3G模块，因此，这个前置摄像头只能作为自拍娱乐用了。在前置摄像头与听筒之间，依然安装着备受好评的自动感光系统。系统会根据这颗光敏电阻自动控制键盘灯的开闭以及屏幕的亮度，

简介：Inthepastfewdecades,manynovelnon-metaldopedZnOmaterialshavedevelopedhastyinterestduetotheiradaptablepropertiessuchaslowrecombinationrateandhighactivityunderthesolarlightexposure.Inthisarticle,wecompiledrecentresearchadvancesinnon-metal(S,N,C)dopedZnO,emphasizingontherelatedmechanismofcatalysisandtheeffectofnon-metalsonstructural,morphological,opticalandphotocatalyticcharacteristicsofZnO.ThisreviewwillenhancetheknowledgeabouttheadvancementinZnOandwillhelpinsynthesizingnewZnO-basedmaterialswithmodifiedstructuralandphotocatalyticproperties.

简介：与大哥诺基亚N93相比，N93i主要在以下四个方面进行了升级：首先将机身尺寸缩小，厚度也减少不少，从一定程度上解决了用户携带不便的烦恼；其次N93i机身的正面采用的是镜面反光材质，

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简介：Inthepaper,theauthorsanalysetherela-tionshipbetweentheelectricalconductivityσofZrO2andthecontentofdopedstabilizingagentbythePositronAnnihilationTechnique,andexplainthechangetendencyofσwiththecontentofstabilizingagent.Theresearchshowsthat"numberofeffectivevacancy"inmaterialisadecisivefactorcausingchangeofσ.

简介：在分析了直流电机驱动芯片L298N的性能、结构的基础上,结合SPCE061AEMUBOARD单片机(61板),介绍实现驱动直流电机的转正反一种简单方法.文中给出了控制原理图,还给出来了控制直流电机正反转驱动程序。实际测试表明,利用该方法设计的直流电机驱动系统具有硬件结构简单、软件编程容易。

简介：有alloying原子X=C，B，N，O和空缺的镁和它的合金的概括叠的差错(GSF)精力和表面精力用第一原则的方法被调查了。叠的差错精力上的alloying原子和空缺的占优势的减少效果在slip飞机附近在第一层从他们的位置被结果，这被发现。叠的差错精力是将近与纯镁一样当alloying原子和空缺被放在时第二，第三，第4，第5和第6层。O强烈减少Mg的GSF精力，这被显示出。alloying原子C，B和N增加表面精力，但是O和空缺减少Mg的表面精力。Mg和Mg合金的韧性被使用在表面精力和不稳定的叠差错精力之间的比率基于瑞斯标准讨论了。

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简介：综述了细晶粒Ti（C，N）基金属陶瓷的研究现状，简要分析了原始粉末粒径、烧结工艺、烧结方法对其性能的影响，介绍了几种新的制备方法，指出必须发展新的制备技术，以充分发挥细晶粒金属陶瓷的优越性。

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简介：有不同Cu内容的Ti/Cu/N涂层在钛上被扔由DC的合金表面磁控管劈啪作响技术。XPS和FESEM被采用在Ti6Al4V上描绘涂层的作文和结构底层。另外，粘附力量，磨擦，并且穿Ti/Cu/N涂层的性质被调查。显示出的试验性的结果涂层的粗糙的粒子将更成长，表面粗糙随在涂层满意的铜的增加增加；涂层显示出强壮的粘附力量；样品的涂层的磨擦系数是不到底层，至少到达0.19。涂层的wear抵抗能被优化并且控制Ti的相对内容改进，Cu，钛上的N元素合金表面，铜的10.98个特别at%内容。样品C2保留了最好穿抵抗。

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