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  • 简介:本文以金属镁粉为触煤,以六角氮化硼为原料,其中加入适量比例的氧化镁,在国产六面顶压机上,在-5.0Gpa,1400-1600℃条例下合成了颜色均匀,晶体完整的黄色立言氮化硼单晶体,进行了B,N含量分析,并简要分析了颜色变化的原因。

  • 标签: 单晶体 氧化镁 合成 黄色 CBN 立方氮化硼
  • 简介:cBN是继人造金刚石人工合成之后,超硬材料发展中的又一重大贡献,它具有良好的耐磨,耐热性能及高的化学惰性。在机械加工中是一种很有生命力的工具材料。但是,目前生产的黑色cBN具有强度较低,热稳定性较差等缺点,限制了cBN系列优质工具的开发与发展。本文介绍一种强度高,热稳定性好的优质琥珀色cBN的合成情况。

  • 标签: 热稳定性 琥珀色 CBN 合成
  • 简介:摘要随着经济与社会发展,工业行业在逐步发展壮大,而在行业发展的过程中某些关键技术问题仍然没有得到解决,比如磨床的开发应用。国内磨床通常应用的是磨削方式,并且在自主产权方面几乎为零。而一些发达国家则利用的是数控磨床来解决生产方面问题,数控磨床的技术含量高并且对外具有严格的保密性,国内未能有效掌握此方面技术。从经济性方面来考虑,设备进口需要较高的费用,并且在使用的过程中维护费用高,从而造成了整体的成本上升,为了满足生产的需要,必须研制符合我国工业生产的设备,从而推动行业的进一步发展,推动自主创新,本文就CBN高速数控外圆磨床的开发与应用作简要阐述。

  • 标签: 高速数控外圆磨床 开发应用 分析
  • 简介:本文通过一系列实验,研究不同烧成工艺参数对陶瓷结合剂性能的影响,得出陶瓷结合剂的最终性能不仅取决于最高保温温度与时间,而且与单一合适的中国保温温度与时间有密切关系。

  • 标签: 烧成工艺 陶瓷结合剂 性能 立方氮化硼 磨具
  • 简介:摘要:单晶炉会在以氩气为主的惰性气体环境中进行原料加热,之后进行单晶硅的生产,所以单晶炉的稳定性,将会直接影响其生产质量。现阶段,单晶炉的工艺控制技术和自动化程度已经得到很大提升。本文探讨对单晶炉设计的优化手段,综合其结构特征进行分析,然后从不同角度讨论如何开展设计优化工作。希望通过研究可以改进单晶炉的设计,提升单晶炉设备的整体性能。

  • 标签: 单晶炉 设计优化 结构特征
  • 简介:摘要本文综述了制造光伏电池和集成电路用单晶硅的特点,对直拉法生长单晶硅的基本原理及生产工艺进行论述,并且分析了直拉法单晶生长过程中的主要杂质及其来源。

  • 标签: 单晶硅 直拉法 生产工艺
  • 简介:近年来,随着X-光晶体结构解析技术的日益成熟,以及同步幅射光源的使用逐渐普遍,解析X-光晶体结构所需的时间已大幅缩短,加上此技术一般说来没有分子量的上限,因此研究物质的晶体结构越来越便利。所以单晶的培养越来越受到人们的关注。

  • 标签: 单晶 单晶培养 培养方法 注意事项
  • 简介:莫斯科钢与合金研究所利用机械一化学合成法成功合成一种特殊的准单晶物质,在工业领域有广泛应用前景。在这种物质中,铁、铜、铝三种原子的排列不像普通单晶那样具有相同的晶格,但仍具有严格的顺序,呈现出几何排列。以橡胶和聚合物为底基,辅以这种准单晶物质制成的复合材料具有金属和陶瓷的双重特性,像金刚石一样坚硬,摩擦系数小于金属,化学稳定性和耐摩性很高。

  • 标签: 莫斯科钢与合金研究所 准单晶物质 机械-化学合成 性能
  • 简介:摘要本文从埚转、等径功率、投料量等几个方面论述了直拉硅单晶中氧含量的控制方法,通过工艺调整,降低硅单晶的氧含量,改善晶体品质。

  • 标签: 直拉硅单晶,氧含量,熔体对流
  • 简介:摘要:钝化发射极和背面(PERC)电池,是目前产业化高效晶硅太阳能电池的主流。PERC电池背面由钝化层和Si3N4层覆盖,这两层薄膜是非导电介质膜,因此背面铝浆直接印刷在背面时,铝浆不能与硅片接触,经过烧结后不能形成背面电极,需要通过激光开窗手段将硅片背面部分钝化层和保护层去除,使得背面铝浆与硅片直接接触,烧结后形成电极,所以背面激光的图形设计对电池片性能有者着重要影响。通过优化激光烧蚀工艺,获得不同的开窗比例及形貌,通过对比分析电性能效果,获得较佳的钝化接触效果,较传统开窗工艺,可有效提升电池效率。

  • 标签: 开窗 激光 电池
  • 简介:摘要:本文结合制作单晶硅企业的工艺流程及负载特性,阐述了单晶硅生产过程中产生的电能质量问题,并阐述了过往在使用有源滤波器治理谐波的过程中产生的问题,给出专业的解决方案,通过实例验证了方案的可行性。

  • 标签: 单晶硅 有源滤波器 电能质量 谐波
  • 简介:单晶炉在硅料熔化过程中谐波含量很大,产生大量的高次谐波电流,污染电网,危害用电设备。本文阐述了采用晶闸管投切集中滤波补偿系统及单晶炉就地5次谐波滤波柜对单晶炉供电系统进行动态谐波治理及无功补偿的技术方案,改变了大多数厂家采取传统的L—C滤波器进行治理谐波的思路,避免了发生滤波器谐波过载及各单晶炉间电气设备产生串、并联谐振现象,从而对公司产生了良好的经济与社会效益。

  • 标签: 单晶硅 单晶生长炉 谐波治理 无功补偿 晶闸管投切滤波回路
  • 简介:大功率脱硫加速器要求稳定发射500mA直流电流,且要长时间连续工作,因此寻求一种长时间稳定发射的阴极发射体,对于脱硫加速器的建造至关重要。就制备技术比较成熟的大电流长寿命发射体而言,用单晶LaB6的逸出功低、发射度好,成为高亮度、高稳定性、长寿命阴极的首选材料。

  • 标签: 发射特性 LaB6 直流电流 热阴极 单晶 阴极发射体