简介:NMOS管I-V曲线在ESD(electrostaticdischarges)脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。
简介:摘要目的探讨个体化预测早期消化道肿瘤患者内镜黏膜下剥离术(ESD)术后迟发性出血的风险因素,建立列线图模型,并提出护理对策。方法回顾性分析2017年12月—2019年12月因早期消化道肿瘤于泰州市人民医院行ESD治疗的236例患者资料,分别使用单因素和二分类Logistic回归分析术后发生迟发性出血的独立危险因素并建立列线图预测模型。结果长期使用抗血栓药物(OR=4.990)、活检次数≥3次(OR=7.834)、伴溃疡和瘢痕(OR=6.079)、病变直径≥3 cm(OR=5.316)、浸润至黏膜下层(OR=5.667)、术中明显出血(OR=5.745)及术者经验(OR=7.660)是早期消化道肿瘤患者ESD术后迟发性出血的独立危险因素(P<0.05)。基于以上7项独立危险因素建立相关列线图预测模型,并对该模型进行验证,H-L偏差度检验结果为χ2=3.753,P=0.663,C-index为0.907(95%置信区间0.877~0.937),说明列线图预测模型具有良好的精准度和区分度。结论长期使用抗血栓药物、活检次数≥3次、伴溃疡和瘢痕、病变直径≥3 cm、浸润至黏膜下层、术中明显出血及手术者不熟练是早期消化道肿瘤患者ESD术后迟发性出血的独立危险因素,建立的列线图模型具有准确的预测能力和区分度,有利于护理人员筛查高风险患者并制订相关护理对策。
简介:摘要目的总结内镜黏膜下剥离术(ESD)治疗胃早癌及癌前病变的围术期护理经验。方法选取2016年7月—2017年9月在我院消化内科行胃ESD治疗的72例患者,并在术前、术中及术后给予患者针对性的护理。结果72例患者中有8例患者入院后出现焦虑、紧张、恐惧甚至悲观的心理状态,采取针对性护理措施后症状得到改善,并积极配合手术治疗。所有患者均成功行ESD术。其中1例术后出现迟发性出血,出血量约400ml,内镜下成功止血,病情稳定,11d后好转出院。其他患者术中术后均未出现出血、穿孔等并发症,均于4~8d内痊愈出院,所有病例均未追加外科开腹手术。结论针对性的围术期护理可保证胃ESD手术顺利进行,降低并发症的发生率,缩短患者住院时间,促进患者的康复,提高患者满意度及ESD的临床治疗效果。