简介：近日，由北京北大方正电子有限公司主办的“北大方正华东地区广电技术交流会”在杭州召开，本次交流会主要围绕“方正播控系统与Omneon视频服务器的结合应用”、“方正精瀚内容管理系统”、“方正慧眼智能总控监控系统”等主题进行讨论。

简介：8月24日至8月27日，第20届北京国际广播电影电视设备展览会（BIRTV2011）将在中国国际展览中心举行。方正电子将以“展新媒体创享未来”为主题，携创新技术和全线产品亮相5号馆5002展台，并参加相关主题论坛，发布技术报告，参加技术奖项的角逐。

简介：方正电子开发总监何海东做了“高标清同播技术和解决方案研究”的技术报告。结合方正在北京电视台、江苏电视台、湖南电视台等首批卫视频道高清建设、以及电影频道、郑州电视台等高清频道建设的经验，阐述了高标清同播系统的独立结构和一体化结构两个整体解决方案，并对高标清播出中幅型变换、AFD标准、视频服务器支持、周边设备支持等技术细节做了讲解，对高标清同播过渡时期的解决方案给出了建议。

简介：MaximIntegratedProducts(MXIM)推出MAX1577Z／MAXl577Y型高效1x／2x电荷泵，可为自光LED提供高达1．1A的调节电流(可保证800mA)。采用独有的自适应模式开关技术，可为摄像模式或背光提供极高的效率(高达92％)。即使是在低电池电压情况下，其极小的开环输出阻抗仍可实现最大的自光LED闪光灯亮度。这两款器件仅需三个微型陶瓷电容，省去了升压型DC／DC转换器和薄型电感器，确保满足翻盖器式手机对器件高度的要求。MAX1577Z／MAX1577Y的1MHz高速开关频率可使用非常小的外部元件。经过优化的稳压方案确保具有低EMI和低输入纹波。

简介：2007年8月，新版重庆视界网成功上线，改造后的视界网整合了重庆广电集团旗下的各子网站，并依托重庆广电整个集团的广播电视节目资源优势，以新媒体技术为支撑，致力发展成为一个以网络音视频为主的，集新闻、信恩娱乐、服务为一体，具有互动特色的综合性宽频门户网站，为网民提供丰富多彩的多媒体资讯和服务。作为项目总集成商，北京北大方正电子有限公司（方正电子）为重庆视界网提供了栩山内容管理发布系统等应用软件，

简介：大多数现代电子设备使用了开关式电源，它们会产生不希望出现的电流谐波，这些谐波对供电品质和与该电源系统连接的其他设备造成了不良影响。文章介绍了有源功率因数校正的工作原理，提出了基于L6563芯片的一种高功率因数校正电路方案。试验结果表明，该Boost功率因数校正电路设计合理，性能可靠，功率因数可达0．99，可有效改善电源品质。

简介：电荷泵型锁相环的设计主要集中在环路滤波器。为了解决各种环路滤波器对锁定时间要求较高,并在环路带宽较宽的应用中对参考频率附近杂散抑制不够,因而致使锁相环相位噪声及杂散恶化的问题。文中以ADF4117为基础,给出了一种带三阶无源环路滤波器的电荷泵型锁相环的设计方法。该方法能有效抑制杂散,使锁相环输出达到良好的相位噪声及杂散指标。

简介：

简介：

简介：CMOS电荷泵锁相环的应用越来越广泛，这也加强了人们该内容的研究与分析。过去，受各方面技术原因的限制，CMOS电荷泵锁相环在具体应用过程中的能量消耗较大，这对其应用造成了一定的不良影响，而近几年随着各项技术的逐渐成熟，人们加强了对低功耗射频CMOS电荷泵锁相环设计的研究，从而满足低功耗、快速锁定要求。目前，人们在该项内容的研究上已经取得了一定的成绩，但是与期望的标准还存在一定差距。文章研究了一种低功耗射频CMOS电荷泵锁相环的设计。

简介：设计一种低抖动电荷泵锁相环频率合成器,输出频率为400MHz～1GHz。电路采用电流型电荷泵自举结构消除电荷共享效应,同时实现可编程多种输出电流值。通过具体的频率范围来选择使用的VCO,获得更小的锁相环相位抖动。电路采用0.13μm1.2VCMOS工艺,芯片面积为0.6mm×0.5mm。Hsim后仿真结果显示当输出频率为1GHz时,锁相环频率合成器的锁定时间为4.5μs,功耗为19.6mW,最大周对周抖动为11ps。

简介：文章提出了一种基于Dickson原理的电荷泵电路，采用齐纳管作为开关器件。该电路克服了采用MOS管作为开关器件的Dickson电路在多级级联时的转换效率急剧下降问题，并且可以利用齐纳管来稳定输出电压.Spice仿真结果显示，五级齐纳电荷泵可以轻松在3V电源电压下实现10V左右的稳定电压输出。该电路结构简单，与标准CMOS工艺兼容，具有较高的应用价值和经济价值，

简介：3月22日下午，北京北大方正电子有限公司（以下简称“方正电子”）在京举办“领秀新媒体智慧播出云——多屏合一融合技术发展趋势及实践交流会”。方正电子总裁杨斌带领广电业务部团队在此次交流会上分享了方正电子“基于云技术的全流程整备和播出平台”以及“服务电视媒体渠道创新的方正畅新新媒体解决方案”。

简介：为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说，它受益于新型集成技术，还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑，并示出效率结果，以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较，以表明STripFET^TM的性能优点。此外，还给出许多特殊功能。