简介：Atmel公司近日宣布为8倍DVD双层写速度推出两款新的激光二极管驱动器ATR0839和ATR0849。这些新器件拓展了Atmel现有的用于较高写速度的LVDS（LowVoltageDifferentialSignals）激光二极管驱动器系列。

简介：

简介：摘要目前产生调频的方法主要有直接调频与间接调频两种，其中直接调频用调制信号直接控制载波的瞬时频率；间接调频首先将调制信号积分，然后对载波进行调相，最后得到调频波。本文采用BB910变容二极管进行直接调频电路设计，通过原理分析及公式推导在各项参数的基础上尽量简化电路，为直接调频电路设计研究提供了一定的理论参考。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：<正>美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计,面积为160μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5MHz,量子效率在270nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。

简介：对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。

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简介：产品简介：“指针-M”发光二极管交通信号灯是一种升级了的道路信号设备，具备发光二极管黄光谱强光源，应用了很高的光电技术。

简介：介绍了一种加热去除阳极吸附气体的方法，并利用热传导方程对阳极加热过程进行了理论计算和分析。计算结果表明，要达到有效加热“强光一号”装置使用的阳极钽靶，电流幅值需为2～3．2kA，相应加热时间需为11～4S。

简介：针对大多数发光二极管（LED）筒灯、LED路灯、LED隧道灯所使用的LED控制装置进行解析,并总结了灯具设计工程师在选用LED控制装置应注意的问题.

简介：阐述了济南黑龙峪隧道发光二极管（LED）照明改造设计依据和方案，对改造后照明效果进行测量、评估，按不加照明控制、加入智能控制和中间视觉下三种情况，分别比较改造前后LED灯具和高压钠灯的耗能大小，数据分析表明，改造后照明符合隧道照明规范标准要求，使用LED灯具节能效果显著。

简介：由于大功率发光二极管（LED）具有发光效率高、使用寿命长、光输出定向性好等特点，因此在道路照明应用中具有得天独厚的优势。通过对大功率白光LED的光输出特性、一次配光和二次配光方式的探讨，按照城市道路照明标准的要求来研究大功率LED路灯的配光方案，对不同的配光方案所具有的特性以及存在的问题，提出了建议。

简介：瞬变电压抑制二极管（英文缩写Tvs）是一种新型电子元件，具有很强的过压、过流耐冲击能力，瞬态功率可达数千瓦乃至上万瓦。除能取代稳压二极管作钳位、稳压、削峰等用途外，还能取代压敏电阻作交、直流电压过压保护，且耐冲击能力远大于稳压二极管，钳位精度远高于压敏电阻（钳位电压误差小于5％）。

简介：摘要本文介绍的是一种利用Multisim软件辅助设计的恒流二极管分压的悬浮脉冲驱动器设计。通过对恒流二极管分压的悬浮脉冲驱动器进行了深入研究，提出了三种恒流二极管分压的悬浮脉冲驱动器设计的结构方案，对每一种恒流二极管分压的悬浮脉冲驱动器设计的原理进行分析，用其中一种方案进行仿真设计，最后对上述方案进行硬件设计。本设计实现的是一种可以利用恒流二极管进行分压的悬浮脉冲驱动器，能够减少脉冲开通的时间，进一步缩短开关电源通、断时间，增强整个控制回路的可靠性。

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简介：通过对高亮度白光发光二极管的不同驱动方式下亮度数据的分析，来比较直流调制和脉冲调制对HB-WLED发光情况的影响，并从LED发光原理上加以分析，最后得出不同驱动方式下HB-WLED发光的特点，及影响HB-WLED发光亮度的因素。实验表明，在相同的测试环境下，直流电流可以产生比有着相同均值的脉冲电流更高的亮度。

简介：一芯片LED技术发展的趋势根据形状．LED分为炮弹形（灯型）、芯片形（表面安装犁）两种。炮弹形LED辉度高，适用于信号灯、安装在房屋内外的显示器；芯片刊LED是将LED元件安装在制作印制线路板的覆铜板上，具有薄、小、密度高，耗电少的特点，在情报通信的小型，高性能化发展中，用于手机、数码相机、摄像机、其他便携产品或音频设备的操作面、液晶显示器的背光板等，其需求量增加迅速。

简介：<正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开发SiC功率元件,以及利用SiC功率元件的逆变器等产品。此类逆变器的输出功率截至目前为几十kW。此次是首次试制成功超过100kW的大功率逆变器。

简介：摘要

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