简介：ＤＭＸ－Ｉ型电子模拟式手弧焊工训练器为国内首创的机电一体化的初级焊工训练器、本文对训练器商品化的前景，训练器的功能的完善等方面的问题进行了讨论．

简介：通过利用龙格一库塔方法分析了强激光与磁化等离子体中有质驱动对电子的加速问题。研究发现在磁化等离子体中，有质驱动使得电子沿轴方向发生横向振荡，电子获得高的能量增益，而在等离子体中产生的自生磁场引起的共振进一步加速了电子，使电子能量增益进一步提高。且最终电子能量趋向一个稳定值，电子在有质驱动作用下自动喷射出来，这在实际应用中容易控制，避免了使用抽取高能电子的提取器，这为新型台式加速器的设计提供了有益的理论指导。

简介：在高功率微波（HPM）的研究中，电子束同微波腔中微波场相互作用是大家所关心的问题，微波腔中电子束与微波场的相互作用，是一个闭环过程，微波场影响电子的运动，同时电子束作为电流源也产生辐射，影响微波场。不同微波腔的微波场不同，电子束同微波场的相互作用形式也不相同，但是在微波场作用下电子束群聚，群聚的电子束反过来影响微波场的自洽过程。

简介：基于第一性原理，计算了MgSiP2的能带结构，结果显示压强减小了能带带隙值，部分电子有效质量随着压强增大而减小。费米能级附近电子态密度计算结果显示：随着压强的增大，价带顶电子态密度的斜率逐渐减小，而导带底电子态密度的斜率逐渐增加。结合半经典玻耳兹曼理论，分别计算了p型和《型MgSiP2的电导率与弛豫时间的比值、赛贝克系数以及功率因子与弛豫时间的比值。结果发现：压强所致部分电子有效质量的减小，提高了p型和.型MgSiP2的电导率，但在一定程度上降低了MgSiP2的赛贝克系数。在压强作用下，相对于n型MgSiP2，，型MgSiP2的电导率增加幅度更大，补偿了压强所致乡型MgSiP2赛贝克系数的降低，提高了型MgSiP2的功率因子，使其大于n型MgSiP2的对应值。计算结果表明，通过增大压强可以提高p型MgSiP2的热电性能，为实验制备具有良好热电性能MgSiP2提供了指导方案。

简介：

简介：结合基于电子白板的教学案例，本文探讨了电子白板在营造学习氛围、突破教学难点、提供互动媒介等方面的优势，为信息技术与高中化学深度整合提供了实践案例。

简介：在库仑玻恩近似框架下,利用库仑势带有数学参量积分的球谐表达式的形式,将散射振幅的跃迁矩阵分解为彼此独立的两部分:入射扭曲因子和靶结构因子,以电子与类氢离子—氦离子在库仑玻恩近似下1s-2s激发和1s-2p激发的非弹性散射为例,导出了靶结构因子的解析发达式,并分析了它对微分散射截面的贡献。

简介：随着经济的发展和职业教育改革的不断深入,对中职专业课提出了更高的要求。根据中职学生的实际以及中职生的特点,为了激发中职校电子专业学生的学习兴趣,提高中职校电子专业学生的综合职业素质和能力,在《电子产品工艺与装配》课程教学中采用了行动导向教学法。本文以音乐门铃装配制作为例,介绍了行动导向教学法在音乐门铃装配制作教学过程中的实践,以及实践行动导向教学的效果和学生过程性学习的评价。

简介：强激光在冕区等离子体中传播到临界面附近生成相对论电子和相对论电子束流在随后较长一段稠密等离子体区的能量传输是快点火中的关键问题。对快点火条件下的激光等离子体参数，临界面附近产生的前向快电子电流往往超过阿尔芬极限电流，必须在稠密等离子体中产生中和回流，快电子流才能在稠密等离子体中向前输运。横向电磁不稳定性（类Weibel不稳定性，WI）和纵向静电双流不稳定性（TSI）很容易在这种电子双流体系中激发，前向电子束会被调制或成丝状结构，同时激发电磁场，粒子部分动能会转化为电磁场能量。不稳定性在非线性饱和后，发生电流丝的合并、磁场重联等过程，部分电磁场能量会再转化为粒子能量，表现为对离子体的横向加热。Weibel不稳定性的作用可能形成围绕传播电子束的磁通道，对快电子的定向和准直传播是重要的。TSI激发的纵向静电场对磁场通道会有明显的调制甚至破坏作用，直接影响高能电子流从激光吸收区到燃料压缩区的准直传播。

简介：在ICF驱动器中大量使用大口径光学元件，由于材料及加工等原因在元件表面和内部常会出现划痕、麻点、气泡、包裹体等，这些疵病的存在会导致能量损失、光束质量变坏，甚至导致光学元件损伤。对光学元件的疵病进行检测有利于掌握光学元件加工质量，有效控制光学元件使用，并有利于提升驱动器整体性能。另外，驱动器运行维护过程中还需要随时了解和掌握光学元件的损伤状态和污染情况，本课题研究的疵病检测方法适用于对光学元件进行非接触式在线监测。

简介：测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。