简介：本文介绍了利用新型高效的UCC2808作为电源芯片，外加ATmega88单片机构成的智能充电机。该充电机体秘小、充电效率高，能对镍镉、镍氢，锂电三种类型的五种规格电池充电；除对不同种类的电池采用不吲的充电方式外，还同时采用了多种方式判断电池的充电状态，这样既保证了电池真正能够充满，也防止了由于过充电造成电池寿命缩短，从而最大限度地延长电池的循环使用寿命。此外，该充电机能够对充电电池进行激活训练；还可以作为输出三个电压级别的稳压电源使用，并具有完备的保护功能。

简介：台达电子集团董事长和台达环境与教育基金会自2000年起，在我国三所高校实施台达电力电子科教发展计划，每年以科教基金的形式资助电力电子与电力传动专业的教授与副教授进行电力电子专题科学研究，并以奖学金的形式奖励各学校电力电子与电力传动专业的优秀博士与硕士研究生6-10名。2001年和2005年，这项计划又先后扩大到六所和八所高校，并同时实施中达学者计划和台达访问学者计划，奖励八所高校电力电子与电力传动专业有突出成就作出重大贡献的教授，资助中青年教授、副教授到国外访问研究和开展国际学术交流活动。台达电力电子新技术研讨会每年举办一届，参会人数不断增多，会议规模不断扩大，成为国内电力电子与电力传动学术界最具活力、最有影响力的学术讨论盛会之一。本刊很荣幸，得到有关单位的同意，独家报道台达基金支持的电力电子科教发展计划和中达学者计划执行情况。并借此机会首次在国内向广大读者详细介绍台达环境与教育基金会（DEEF）、台达电力电子研发中心（DPEC）的概况，和2006第六届台达电力电子新技术研讨会的情况。

简介：通过对太阳能电池输出特性和蓄电池输入特性的研究,提出了一种将太阳能电池最大功率点跟踪与蓄电池优化充电综合在一起的控制策略。本文基于一个250W太阳能路灯控制系统,提出了一种综合的控制策略,实现了太阳能阵列的最大功率点跟踪和蓄电池优化充电的合理结合。

简介：本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现，在一定工作条件下，常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%，总功耗则降低约30%，将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造，在高频领域有着极好的应用前景。

简介：

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简介：阐述了直接转矩控制系统的发明和发展，指出其控制原理和方案的特点，特别阐明了它在转速与磁链分别控制中的解耦作用。最后，对直接转矩控制和矢量控制两种方案进行了比较，指出各自的优缺点和发展方向。

简介：仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。

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简介：从超小型铝电解电容器CD11E的特点和性能要求出发，进行结构设计，选用主要材料，研制专用工作电解液，确定专用设备，以及分切、铆接、装配等关键工艺。根据生产实际，调整检验项目及标准，引入一系列新的检验设备和方法，实现了超小型产品的正常生产。

简介：为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说，它受益于新型集成技术，还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑，并示出效率结果，以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较，以表明STripFET^TM的性能优点。此外，还给出许多特殊功能。