简介：Qorvo推出满足LTE2级功率要求的RF前端产品组合，也称作高性能用户设备（HPUE）。集成QorvoRFFE设备的智能手机可兼具高频段频谱的速度与容量优势和中频段频谱的覆盖范围优势。

简介：摘要在新课改的深入推进下，对初中数学教学也提出了更高的要求，教师在保证学生成绩能够有所提升的同时，还需要注重对学生综合能力的培养，以此来提升数学教学水平的整体成效。本文结合新课改理念下初中数学教学的实际发展情况，并结合数学教学有效性的现实作用，提出切实可行的教学策略，从而提升初中学生的综合素养。

简介：<正>美商高盛证券2010年3月22日举行"两岸科技CEO论坛",聚焦两岸开放带来的机会,台积电董事长张忠谋针对两岸半导体政策与产业未来进行演讲,据与会厂商转述,张忠谋认为2年内12英寸晶圆厂可望开放登陆。

简介：摘要针对目前室外基站覆盖城中村无线网存在的难点进行分析，本文介绍了同轴电缆分布系统和光纤分布系统方案覆盖城中村LTE网络的规划方案，并对比分析两种方案的优势与缺点,重点介绍了同轴电缆分布系统方案的规划与实现。在城中村无线网络规划中，可因地制宜选择不同方案进行覆盖，保障城中村的无线网络覆盖。

简介：<正>恩智浦半导体(NXPSemiconductorsN.V)近日推出首款采用1.1-mm×1-mm×0.37-mm超薄DFN(分立式扁平无引脚)封装的晶体管。全新产品组合由25种器件组成,其中包括低RDsonMOSFET以及可将电流能力最高提升至3.2A的低饱和通用晶体管。该全新产品系列凭借其超小外形和高性能,非常

简介：Organicmultiplequantumwells(OMQWs)consistingofalternatinglayersoforganicmaterialshavebeenfabricatedfromtris(8-hdroxyquinoline)aluminum(Alq)and2-(4-biphenylyl)-5-(4-tertbutylphenyl)-1,3,3-oxadiazole(PBD)byamultisource-typehigh-vacuumorganicmoleculardeposition.Fromthesmall-angleX-raydiffractionpatternsofAlq/PBDOMQWs,aperiodicallylayeredstructureisconfirmedthroughtheentirestack.TheAlqlayerthicknessintheOMQWswasvariedfrom1nmto4nm.Fromtheopticalaborption,photoluminescenceandelectroluminescencemeasurements,itisfoundthattheexcitonenergyshiftstohigherenergywithdecreasingAlqlayerthickness,ThechangesoftheexcitonenergycouldbeinterpretedastheconfinementeffectsofexcitonintheAlqthinlayers.Narrowingoftheemissionspectrumhasalsobeenobservedfortheelectroluminescentdevices(ELDs)withtheOMQWsstructureatroomtemperature.

简介：<正>OFweek光电新闻网和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动,英飞凌科技公司产品40VOptiMOSTMT2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(中国)有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取了该奖。

简介：UsingdoublecrystalX-raysdiffraction(DCXRD)andatomicforcemicroscopy(AFM),theresultsofGexSi1-xgrownUHV/CVDfromSi2H6andSiH4areanalyzedandcompared.Adsorbatescanmigratetotheenergy-favoringpositionduetotheslowgrowthratefromSiH4.Inthiscase,aSibufferthatisolatestheeffectofsubstrateonepilayercouldnotbegrown,whichresultsinapitpenetratingintoepilayerandbuffer.TheFWHMis0.055°inDCXRDfromSiH4.Thepresenceofdiffractionfringesisanindicationofanexcellentcrystallinequality,TheroughnessofthesurfaceisimprovedifgrownbySi2H6:however,thecrystalqualityoftheGex2Si1-xmaterialbecameworsethanthatfromSiH4duetomuchlargergrowthratefromSi2H6.ThecontentofGeisobtainedfromDCXRD,whichindicatesthegrowthratefromSi2H6islargest,thenGeH4andthatfromSiH4isleast.