简介:运用Sehauder不动点定理,考察了边值问题{△^4u(k-1)=g(k,u(k-1),u(k),u(k+1),u(k+2)),k∈Z(1,N)u(0)=A,u(N+1)=B,u(N+2)=C,u(N+3)=D解的存在性.
简介:用费波那契数列(FibonacciSequence)计算规则联接的电阻、电容网络的等效值,方法特别且较常规的电阻(电容)串并联解法方便、快捷。
简介:通过分析1维和2维线性插值可以推导出任意斜角直线坐标系下n维线性插值的一般计算公式以及有唯一解的条件,这一结论能够应用于三维温度场计算。可以将n维插值问题归结如下:已知n+1维空间中的n+1个点的坐标以及第n+2个点的n个坐标分量xn+2,1,xn+2,2,,xn+2,n,求解该点的第n+1个坐标分量xn+2,n+1。根据线性插值定义,第n+2个点位于前n+1个点所确定的n维超平面上。根据这一条件列写方程、求解方程可得到插值xn+2,n+1。n维插值问题有唯一解的条件是已知的n+1个点在n维空间中构成的多面体的体积不为0。推导过程在斜角直线坐标系中完成,因而结论具有较大普适性。
简介:综述了集值映射的某些概念,例如度量正则性、伪Lipschitz性质(Aubin性质)、度量次正则性和Calm性质和这些概念的相互关系以及某些判据.也给出了他们在变分方程解的鲁棒Lipschitz稳定性、约束优化问题的最优性条件、集合族的线性正则性质和广义方程迭代过程的收敛性.
简介:本文在等距分划上引入在似于文[1]的I型广义Hermlie样条插值,改进了Ⅱ型广义Hermite样条.与文[1]比较,我们证明了改进后的Ⅱ型广义Hermite样条插值的逼近精度得到了充分的提高.并利用这二种样条插值,讨论了对振荡积分,有限Fourier积分等的数值逼近.
简介:本文讨论了2π周期和反周期函数在等距结点上的一类Birkhoff型2-周期三角和仿三角插值问题,给出了此问题有解的充要条件,并构造出插值基。
简介:利用Jensen不等式,Steklov变换,Cauchy积分主值讨论了一类离散指数型线性积分修正插值算子在Orlicz空间L*M(-∞,∞)中的逼近问题,给出了收敛速度的估计.
简介:在相同的反应体系中当ph值从约9.5调变至11时分别合成出双中孔SiO2和六方中孔SiO2材料,并用XRD、N2吸附、TEM、TG/DTA和FTIR等测试手段对合成产物进行了表征。实验结果表明,双中孔SiO和六方中孔SiO2是合成中必然出现的两种不同的中孔物相。与六方中孔SiO2相比,双中孔SiO2也具有典型中孔材料的特征XRD谱图,虽然仅呈现一个易让人产生不完全晶化误解的相对较宽的单XRD衍射峰(d=5.2nm),但它却给出一种独特的N2吸附等温线和窄的双峰中孔孔径分布曲线。由于孔壁的无定形及表面活性剂分子与SiO2骨架间相似的相互作用,两类材料给出类似的FTIR谱图和TG/DTA曲线。然而,在双中孔SiO2的FTIR谱图中960cm处峰强度的微小变化可能意味着在锻烧脱除模板剂后双中孔SiO2较六方中孔SiO2具有更高的骨架聚合度。更多还原
简介:设G是一个阶数大于等于4的简单连通图.代4(G)和d4(G)分别表示G的第四大无符号拉普拉斯特征值和第四大度.本文证明了K4(G)≥d4(G)一2.